半导体装置制造方法及图纸

实施方式提供能够降低噪声的半导体装置。实施方式的半导体装置(100)具备：IC芯片，在第一面具有第一端子以及第二端子；和第一硅电容器，与所述IC芯片的所述第一面对置，并在与所述第一面对置的第二面具有通过第一导电部件与所述第一端子电连接的第一电极和通过第二导电部件与所述第二端子电连接的第二电极。导电部件与所述第二端子电连接的第二电极。导电部件与所述第二端子电连接的第二电极。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
[0001]本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部内容。本申请将日本专利申请2020
‑
153215号(申请日：2020年9月11日)作为基础申请来享有优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部内容。


[0002]实施方式涉及半导体装置。

技术介绍

[0003]以往，公知有一种通过电容器来降低半导体装置的噪声的技术。

技术实现思路

[0004]实施方式提供能够降低噪声的半导体装置。
[0005]实施方式涉及的半导体装置具备：IC芯片，在第一面具有第一端子以及第二端子；和第一硅电容器，与所述IC芯片的所述第一面对置，并在与所述第一面对置的第二面具有通过第一导电部件与所述第一端子电连接的第一电极和通过第二导电部件与所述第二端子电连接的第二电极。
附图说明
[0006]图1是表示第一实施方式涉及的半导体装置的俯视图。
[0007]图2是图1的A
‑
A
′
线处的剖视图。
[0008]图3是表示第一实施方式涉及本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：IC芯片，在第一面具有第一端子以及第二端子；和第一硅电容器，与所述IC芯片的所述第一面对置，并在与所述第一面对置的第二面具有通过第一导电部件与所述第一端子电连接的第一电极和通过第二导电部件与所述第二端子电连接的第二电极。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还具备：管芯焊盘，所述IC芯片被设置在该管芯焊盘之上；第一导线，与所述第一端子电连接；第二导线，与所述第二端子电连接；以及密封部件，对所述IC芯片以及所述第一硅电容器进行密封。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，还具备与所述第一端子以及所述第一导线电连接并被所述密封部件密封的电感器。4.根据权利要求1～3中任意一项所述的半导体装置，其特征在于，所述IC芯片还具有与所述第一端子以及所述第二端子电连接的第一电路，所述第一硅电容器位于所述第一电路的正上方。5.根据权利要求1～3中任意一项所述的半导体装置，其特征在于，在所述IC芯片的所述第一面还设置有第三端子，所述第二端子被配置在所述第一端子与所述第三端子之间，所述第一电极具有通过所述第一导电部件与所述第一端子电连接的第一部分和通过第三导电部件与所述第三端子电连接的第二部分，所述第二电极具有位于所述第一部分与所述第二部分之间并通过所述第二导电部件与所述第二端子电连接的第三部分。6.根据权利要求1～3中任意一项所述的半导体装置，其特征在于，所述IC芯片在所述第一面还具有第四端子以及第五端子，所述半导体装置还具备第二硅电容器，所述第二硅电容器与所述第一面对置，并在与所述第一面对置的第三面具有通过第四导电部件与所述第四端子连接的第三电极和通过第五导电部件与所述第五端子连接的第四...

【专利技术属性】
技术研发人员：细川淳，新德恭久，野稻泰一，片山义晴，
申请(专利权)人：东芝电子元件及存储装置株式会社，
类型：发明
国别省市：