具有多个图案化辐射吸收元素和/或竖直组成梯度的光致抗蚀剂制造技术

本文的各种实施方案涉及用于在衬底上沉积光致抗蚀剂材料的技术。例如，这些技术可涉及在反应室中提供该衬底；将第一及第二反应物提供至该反应室，其中所述第一反应物为具有化学式M1

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有多个图案化辐射吸收元素和/或竖直组成梯度的光致抗蚀剂
通过引用并入
[0001]PCT申请表作为本申请的一部分与本说明书同时提交。如在同时提交的PCT申请表中所标识的本申请要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。


[0002]本公开总体上涉及半导体处理的领域。在特定方面中，本公开描述新颖的光致抗蚀剂(PR)材料，其通过一或更多种有机金属前体与一或更多种对应反应物(counter
‑
reactants)之间的反应而制成。

技术介绍

[0003]随着半导体制造持续进展，特征尺寸持续缩小，并且需要新的处理方法。一个正获得进展的领域是在图案化的背景下，例如使用对光刻辐射具敏感性的光致抗蚀剂材料。
[0004]这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的专利技术人的工作在其在此
技术介绍
部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。

技术实现思路

[0005]本文的各种实施方案涉及本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种在衬底上沉积光致抗蚀剂材料的方法，该方法包含：在反应室中提供所述衬底；将第一反应物和第二反应物提供至所述反应室，并且引发所述第一反应物与所述第二反应物之间的反应，从而在所述衬底上沉积所述光致抗蚀剂材料，其中所述第一反应物和所述第二反应物各自以蒸气相提供至所述反应室，其中所述第一反应物为具有化学式M1
a
R1
b
L1
c
的有机金属前体，其中：M1为具有高图案化辐射吸收截面的金属，R1为有机基团，其在所述第一反应物与所述第二反应物之间的所述反应后保留，且能在暴露于图案化辐射下从Ml裂解，L1为与所述第二反应物反应的配体、离子、或其他部分，a≥1，b≥1，且c≥1，且其中满足以下条件中的至少一者：(a)所述光致抗蚀剂材料包含具有高图案化辐射吸收截面的两或更多种元素，和/或(b)所述光致抗蚀剂材料包含沿着所述光致抗蚀剂材料的厚度的组成梯度。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述光致抗蚀剂材料为极紫外光(EUV)光致抗蚀剂材料，且其中M1具有高EUV吸收截面。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第二反应物包含羟基部分。4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第二反应物包含选自由下列各项组成的群组的材料：水、过氧化物、二或多羟基醇、氟化的二或多羟基醇、氟化的乙二醇、及其组合。5.根据权利要求2
‑
4中的任一项所述的方法，其中所述第二反应物包含能经由硫桥和/或碲桥而交联金属原子的材料。6.根据权利要求2
‑
5中的任一项所述的方法，其中所述第二反应物包含选自由下列各项组成的群组的材料：硫化氢、二硫化氢、双(三甲基甲硅烷基)碲、及其组合。7.根据权利要求2
‑
6中的任一项所述的方法，其中所述第二反应物包含碘化氢。8.根据权利要求2
‑
7中的任一项所述的方法，其中所述第二反应物取代一或更多个L1，从而经由化学键合而交联M1的两或更多个原子。9.根据权利要求2
‑
8中的任一项所述的方法，其中M1的所述EUV吸收截面等于或大于l
×
107cm2/mol。10.根据权利要求2
‑
9中的任一项所述的方法，其中M1包含选自由下列各项组成的群组的金属：Sn、Sb、In、Bi、Te、及其组合。11.根据权利要求2
‑
10中的任一项所述的方法，其中R1包含烷基或经卤素取代的烷基。12.根据权利要求11所述的方法，其中所述烷基包含三或更多个碳原子。13.根据权利要求2
‑
12中的任一项所述的方法，其中R1包含至少一个β
‑
氢或β
‑
氟。14.根据权利要求13所述的方法，其中R1选自由下列各项组成的群组：异丙基、正丙基、叔丁基、异丁基、正丁基、仲丁基、正戊基、异戊基、叔戊基、仲戊基、及其组合。15.根据权利要求2
‑
14中的任一项所述的方法，其中L1包含选自由下列各项组成的群组的部分：胺、烷氧基、羧酸根、卤素、及其组合。
16.根据权利要求2
‑
15中的任一项所述的方法，其中所述第一反应物包含选自由下列各项组成的群组的材料：叔丁基三(二甲基氨基)锡、异丁基三(二甲基氨基)锡、正丁基三(二甲基氨基)锡、仲丁基三(二甲基氨基)锡、异丙基三(二甲基氨基)锡、正丙基三(二乙基氨基)锡、叔丁基三(叔丁氧基)锡、异丁基三(叔丁氧基)锡、正丁基三(叔丁氧基)锡、仲丁基三(叔丁氧基)锡、异丙基三(叔丁氧基)锡、正丙基三(叔丁氧基)锡、叔丁基三氯化锡、异丁基三氯化锡、正丁基三氯化锡、仲丁基三氯化锡、异丙基三氯化锡、正丙基三氯化锡、叔丁基三溴化锡、异丁基三溴化锡、正丁基三溴化锡、仲丁基三溴化锡、异丙基三溴化锡、正丙基三溴化锡、及其组合。17.根据权利要求2
‑
16中的任一项所述的方法，其还包含使所述衬底暴露于等离子体以利用M1
‑
H键取代一些M1
‑
L1键。18.根据权利要求2
‑
17中的任一项所述的方法，其中所述第一反应物与所述第二反应物之间的所述反应为化学气相沉积反应、原子层沉积反应、或其组合。19.根据权利要求2
‑
18中的任一项所述的方法，其中所述第一反应物和所述第二反应物被同时提供至所述反应室。20.根据权利要求2
‑
18中的任一项所述的方法，其中所述第一反应物和所述第二反应物并非同时输送至所述反应室。21.根据权利要求2
‑
20中的任一项所述的方法，其中所述衬底的温度处于或低于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒂莫西，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：