一种光刻胶喷雾式涂胶方法技术

本发明专利技术公开了一种光刻胶喷雾式涂胶方法，包括以下步骤：将待加工晶圆送至指定区域，定义晶圆圆心点坐标为(Xi，Yi)，且Xi＝Yi，晶圆半径为R，设置喷头沿X轴行进范围和速率；设置喷头沿Y轴行进范围和速率；定义喷涂过程中X轴方向结束后，喷头向Y轴方向进行距离a，点(Xi，Yi)＝(R+σ，R+σ)，将喷涂过程中X轴方向结束后喷头向Y轴方向进行距离为a，σ＝a/n，n为喷涂周期重复次数。在喷涂周期内，控制加热盘温度。由t0升高至t

【技术实现步骤摘要】
一种光刻胶喷雾式涂胶方法


[0001]本专利技术属于半导体制造领域，更具体地说，尤其涉及一种光刻胶喷雾式涂胶方法。

技术介绍

[0002]半导体制造过程中，包括晶圆制造、光刻、刻蚀、扩散、离子注入、薄膜沉积等工艺。其中光刻工艺是重要的图形形成环节。光刻工艺是半导体生产制造中关键工艺。光刻是将掩膜上的几何图形转移到涂在半导体晶圆表面的敏光薄膜材料(俗称光刻胶)上的工艺过程。光刻的图形形成主要步骤是涂胶、曝光和显影。喷涂具有材料利用率高、不受基材形貌影响、重复性好和涂覆面积大等特点，被广泛使用于光刻工艺中。
[0003]现有的喷涂涂胶过程中，每一个周期的起点完全一致，每个周期的喷头行进路线一致，因为喷涂过程中晶圆表面各区域沉积的光刻胶量是不同的。并且循环叠加，造成涂胶厚胶薄膜均匀性差。且由于光刻胶化学品本身理化性质及工艺条件所限，喷涂过程中易产生气泡，影响光刻胶薄膜表面均匀性。尤其是黏度大的光刻胶产品。薄膜表面带有气泡，更严重的后果是影响到后续光刻、显影工艺。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是为了解决现有技术中存本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻胶喷雾式涂胶方法，其特征在于：包括基于传热的温度控制部分和针对喷嘴的运动进程控制部分，包括如下步骤：S1.计算加热过程中的温度增加量ΔT，计算未涂胶晶圆传热系数K，结合公知内容可得计算过程如下：K0＝dQ/(T1‑
T0)dS；S2.通过实验，由上述公式，可以算出K
总
：K
总
＝dQ/(T1‑
T
x
)dSK
总
倒数为晶圆传热系数倒数加涂的光刻胶薄膜的传热系数倒数，即：1/K
总
＝1/K0+1/K，以此计算出光刻胶薄膜的传热系数K的值；S3.通过实验，得到该光刻胶的膜厚度和K
总
的函数，记录整个喷涂的时间TIM，时间TIM内薄膜厚度由0至h，传热系数由K0至K
总
，其中K
总
是时间TIM的函数，定义K
总
＝
ɑ
/TIM，通过上述步骤，可以拟合出常数
ɑ
；根据常数
ɑ
和时间TIM，计算T
h
，并设置温度变化由T0升高至T
h
,用加热盘温度控制器实现；S4.将待加工晶圆送至指定区域，定义晶圆圆心点坐标为(Xi，Yi)，Xi＝R+σ，Yi＝R+σ，Xi＝Yi，晶圆半径为R，设置喷头沿X轴行进范围和速率；设置喷头沿Y轴行进范围和速率；定义喷涂过程中X轴方向结束后，喷头向Y轴方向进行距离a，将喷涂过程中X轴方向结束后喷头向Y轴方向进行距离为a，定义起始点为(0，0)，而后启动涂胶设备；S5.按下列步骤依次进行涂胶动作：步骤一，起点为(0，0)，沿X轴方向行进至点A1，坐标(2R+2σ，0)；步骤二，起点为(2R+2σ，0)，沿Y方向行进a，此时坐标为(2R+2σ，a)；步骤三，向X轴反方向行进，行进距离为R+2σ，此刻坐标为(0，a)；步骤四，沿Y轴方向行进a，此时坐标为(0，2a)；S6.继续按步骤依次进行涂胶动作，直至到步骤m
‑
3，沿Y轴方向行进距离a，此时喷头位置坐标为(2R+2σ
‑
a，2R+2σ)；步骤m
‑
2，沿X轴方向行进，行进距离为2R+2σ，此时喷头坐标为(0，2R+2σ
‑
a)；步骤m
‑
1，沿Y轴方向行进a，此时喷头坐标为(0，2R+2σ)；步骤m，沿X轴方向行进2R+2σ，此时喷头坐标为(2R+2σ，2R+2σ)，至此，第一周期横向行进部分结束；继续第一周期纵向行进部分；喷头位置处于(2R+2σ，2R+2σ)，第一步，沿Y轴负方向行进距离2R+2σ，第二步，沿X轴负方向行进a，...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏猛，王阳，李冬海，罗宗祥，
申请(专利权)人：芯达半导体设备苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：