闪存器件的制备方法技术

本发明专利技术提供一种闪存器件的制备方法，包括：提供一其上形成有堆叠的浮栅层、ONO层和控制栅层的衬底，所述衬底上形成有沟槽，所述沟槽中形成有侧墙结构；采用自对准硅化物工艺形成导电接触层；采用SPT工艺对所述侧墙结构进行选择性刻蚀；以及形成层间绝缘介质层。本申请通过采用SPT(应力临近技术)工艺对所述侧墙结构进行选择性刻蚀，因为SPT工艺对某些材料层(氮化硅层)的刻蚀选择比很高，所以在导电接触层形成(自对准硅化物工艺)之后通过对侧墙结构中的某些材料层进行针对性地减薄来改善所述层间绝缘介质层在沟槽中的填充，这样可以在不影响器件的电学性能的同时改善层间绝缘介质层的填充，避免空洞缺陷，进一步提高了器件良率。件良率。件良率。

【技术实现步骤摘要】
闪存器件的制备方法


[0001]本申请涉及半导体器件制造
，具体涉及一种闪存器件的制备方法。

技术介绍

[0002]闪存器件的Cell区域有一些膜层为多晶硅材料(例如浮栅多晶硅、控制栅多晶硅、字线多晶硅、选择栅多晶硅等)，如Nor Flash器件中，两层多晶硅材料膜层堆叠；NORD Flash器件中，4层多晶硅材料膜层堆叠，上述器件产品均存在堆叠的多晶硅材料在Y轴方向上的高度较高的现象。
[0003]Flash器件节点随着技术的发展在不断地缩小，但是多晶硅材料膜层在Y轴方向上的关键尺寸的缩小却相对较少，这就造成在多晶硅材料膜层中的较大深宽比的沟槽中填充ILD(层间绝缘介质层)的难度较大的问题，因为沟槽的深宽比较大，所以容易在ILD中产生空洞缺陷。ILD填充有空洞缺陷会引发闪存器件的一系列问题，例如，空洞缺陷导致后续沉积的金属膜层中的金属钻到空洞缺陷中，从而造成器件发生短路，甚至造成闪存器件产品的大批量报废。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种闪存器件的制备方法，可以解决在较大深宽比的沟槽中填充ILD时产生空本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种闪存器件的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有堆叠的浮栅层、ONO层和控制栅层，其中，所述控制栅层、所述ONO层和所述浮栅层中形成有沟槽，所述沟槽中形成有侧墙结构，所述侧墙结构覆盖所述沟槽的侧壁和部分底壁；采用自对准硅化物工艺形成导电接触层，所述导电接触层覆盖所述控制栅层和所述沟槽底壁露出的衬底；采用SPT工艺对所述侧墙结构进行选择性刻蚀；以及，形成层间绝缘介质层，所述层间绝缘介质层填充所述沟槽。2.根据权利要求1所述的闪存器件的制备方法，其特征在于，所述侧墙结构包括：氧化硅层和氮化硅层，所述氧化硅层覆盖所述沟槽的侧壁和部分底壁，所述氮化硅层覆盖所述氧化硅层。3.根据权利要求2所述的闪存器件的制备方法，其特征在于，在采用所述SPT工艺对所述侧墙结构进行选择性刻蚀的过程中，刻蚀所述氮化硅层的速率与刻蚀所述氧化硅层的速率的比值为8～10；刻蚀所述氮化硅层的速率与刻蚀所述控制栅层的速率的比值为5～8。4.根据权利要求2所述的闪存器件的制备方法，其特征在于，采用所述SPT工艺对所述侧墙结构进行选择性刻蚀包括：刻蚀去除所述沟槽的侧壁顶端的一定长度的所述氮化硅层以使所述沟槽顶端的开口呈倒八字型、刻蚀去除所述沟槽的底壁上靠近沟槽中心的一定长度的所述氮化硅层以使所述沟槽底壁...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜怡行，顾林，王虎，王壮壮，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：