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本发明提供一种闪存器件的制备方法，包括：提供一其上形成有堆叠的浮栅层、ONO层和控制栅层的衬底，所述衬底上形成有沟槽，所述沟槽中形成有侧墙结构；采用自对准硅化物工艺形成导电接触层；采用SPT工艺对所述侧墙结构进行选择性刻蚀；以及形成层间绝缘...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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