非易失性存储器结构及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种非易失性存储器结构及其制造方法，该非易失性存储器包括：衬底以及衬底上的一穿隧介电层。位于衬底的阵列区域中且彼此相距设置的多个栅极结构，各栅极结构包含浮置栅极以及位于浮置栅极上方的控制栅极。位于穿隧介电层的上方并覆盖栅极结构的第一介电层，此第一介电层形成于衬底上方并覆盖穿隧介电层的顶面以及覆盖各栅极结构的侧面和顶面上，其中在相邻栅极结构的侧面上的第一介电层之间的空间填满空气隙。多个绝缘块体以及第二介电层，其中绝缘块体位于第一介电层上且分别对应各栅极结构，第二介电层位于绝缘块体上并覆盖绝缘块体和空气隙，本发明专利技术能够降低漏电流以及减少耦合电容。流以及减少耦合电容。流以及减少耦合电容。

【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器结构及其制造方法


[0001]本专利技术有关于一种非易失性存储器结构及其制造方法，且特别有关于一种具有一致高度的气隙的非易失性存储器结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]在非易失性存储器中，依据存储器内的数据能否在使用电脑时随时改写，可分为二大类产品，分别为只读存储器(read-only memory,ROM)与快闪存储器(flash memory)。其中快闪存储器因成本较低，而逐渐成为非易失性存储器的主流技术。
[0003]一般而言，一个快闪存储器包含两个栅极，第一个栅极为储存数据的浮置栅极，而第二个栅极为进行数据的输入和输出的控制栅极。浮置栅极位于控制栅极的下方且为「漂浮」的状态。所谓漂浮指以绝缘材料环绕且隔离浮置栅极以防止电荷流失。控制栅极连接至字元线以控制装置。快闪存储器的优点之一为可以区块-区块抹除数据(block-by-block erasing)。快闪存储器广泛地用于企业伺服器、储存和网络科技，以及广泛的消费电子产品，例如随身盘快闪驱动装置、移动电话、数字相机、平板电脑、笔记型电脑的个人电脑插和嵌入式控制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储器结构，其特征在于，包括：一衬底，包含一阵列区域；一穿隧介电层，位于该衬底上；多个栅极结构，位于该衬底的上方和该阵列区域中，且该些栅极结构彼此相距，前述各个栅极结构包含位于该穿隧介电层上的一浮置栅极以及位于该浮置栅极上方的一控制栅极；一第一介电层，位于该衬底的上方并覆盖该穿隧介电层的顶面，该第一介电层并覆盖前述各个栅极结构的侧面和顶面，其中在相邻的该些栅极结构的该些侧面上的该第一介电层之间的空间填满空气隙；多个绝缘块体，位于该第一介电层上且分别对应于该些栅极结构；以及一第二介电层，位于该些绝缘块体上并覆盖该些绝缘块体和该些空气隙。2.根据权利要求1所述的非易失性存储器结构，其特征在于，该些空气隙的顶端高于该些绝缘块体的顶面。3.根据权利要求1所述的非易失性存储器结构，其特征在于，该些空气隙至少暴露出位于前述各个栅极结构的该控制栅极的所有侧面上的该第一介电层的部分。4.根据权利要求1所述的非易失性存储器结构，其特征在于，该些空气隙更直接接触该些绝缘块体的侧面。5.根据权利要求1所述的非易失性存储器结构，其特征在于，该些空气隙在垂直于该衬底的方向上具有相同的高度。6.根据权利要求1所述的非易失性存储器结构，其特征在于，前述各个绝缘块体以及前述各个栅极结构的该控制栅极以该第一介电层相隔开来。7.根据权利要求1所述的非易失性存储器结构，其特征在于，前述各个绝缘块体的侧面与该第一介电层的侧面齐平。8.根据权利要求1所述的非易失性存储器结构，其特征在于，前述各个栅极结构中，该控制栅极包含一多晶硅栅极以及一金属栅极位于该多晶硅栅极上，其中前述各个绝缘块体与前述各个栅极结构的该金属栅极以该第一介电层相隔开来。9.一种非易失性存储器结构的制造方法，其特征在于，包括：提供一衬底，该衬底包含一第一区域和一第二区域；形成一穿隧介电层于该衬底上；形成多个第一堆叠结构和多个第二堆叠结构彼此相距地位于该穿隧介电层上，且该些第一堆叠结构和该些第二堆叠结构分别位于该第一区域和该第二区域中；形成一第一介电层于该衬底的上方并覆盖该穿隧介电层的顶面以及覆盖该些第一堆叠结构和该些第二堆叠结构的顶面和侧面；形成多个绝缘块体位于该第一介电层上，且该些绝缘块体分别对应于该些第一堆叠结构和该些第二堆叠结构的该些顶面；以及形成一第二介电层于该些第一堆叠结构和该些第二堆叠结构上方，并形成空气隙，且该第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：余秉隆，邵柏竣，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：