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本发明提供一种非易失性存储器结构及其制造方法，该非易失性存储器包括：衬底以及衬底上的一穿隧介电层。位于衬底的阵列区域中且彼此相距设置的多个栅极结构，各栅极结构包含浮置栅极以及位于浮置栅极上方的控制栅极。位于穿隧介电层的上方并覆盖栅极结构的第...
该专利属于华邦电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华邦电子股份有限公司授权不得商用。

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