一种半导体器件及其制造方法技术

本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法，包括衬底、第一电极层、功能层和第二电极层，功能层位于第一电极层和第二电极层中间，功能层包括第一区域和包围第一区域的U型结构的第二区域，第二区域的U型开口的朝向平行于衬底且远离第一区域，即U型开口朝向外侧，第一区域的材料至少包括锗，第二区域包括依次层叠的U型铁电层和U型栅极。本申请实施例利用U型结构的铁电层作为存储器件的存储层，在保持栅极电压不变的情况下，U型沟道可以增大铁电层的电场，从而增大整个半导体器件的存储窗口，并且在保持整个半导体器件的存储窗口不变的情况下，还可以降低栅极电压，从而降低半导体器件的功耗，提升存储器件的性能。提升存储器件的性能。提升存储器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体器件领域，特别涉及一种半导体器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的快速发展，存储器件受到广泛关注。例如非易失性存储器件和动态随机存取存储(Dynamic Random Access Memory，DRAM)器件都是存储器件中备受关注的器件之一。
[0003]但是随着计算机技术等其他技术的急速发展，对于高性能的存储器件的需求也越来越大，因此，现在亟需高性能的存储器件。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请的目的在于提供一种半导体器件及其制造方法，提高存储器件的性能。
[0005]为实现上述目的，本申请有如下技术方案：
[0006]本申请实施例提供一种半导体器件，包括：
[0007]衬底；
[0008]第一电极层，位于所述衬底的一侧；
[0009]功能层，位于所述第一电极层远离所述衬底的一侧，所述功能层包括第一区域和包围所述第一区域的U型结构的第二区域，所述第二区域的U型开口的朝向平行于所述衬底且远离本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；第一电极层，位于所述衬底的一侧；功能层，位于所述第一电极层远离所述衬底的一侧，所述功能层包括第一区域和包围所述第一区域的U型结构的第二区域，所述第二区域的U型开口的朝向平行于所述衬底且远离所述第一区域，所述第一区域的材料至少包括锗，所述第二区域包括依次层叠的U型铁电层和U型栅极；第二电极层，位于所述功能层远离所述衬底的一侧，所述第一电极层为源极层或漏极层中的一种，所述第二电极层为源极层或漏极层中的另一种。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述U型结构的第二区域为弧形，沿着平行于所述衬底且远离所述第一区域的方向，所述U型开口的径向长度逐渐增大。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一区域的材料为锗或硅锗。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，当所述第一区域的材料为硅锗时，在垂直于所述衬底的方向上，所述锗的掺杂比例先增大后减小。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述锗的掺杂比例范围为10％
‑
70％。6.根据权利要求1
‑
5任意一项所述的半导体器件，其特征在于，所述铁电层的材料为HfZrO，所述铁电层的厚度范围为3
‑
30纳米。7.根据权利要求1
‑
...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄伟兴，朱慧珑，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：