半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供衬底，所述衬底包括基底、以及位于基底上的若干相互分立的鳍部，所述鳍部的材料内具有第一原子；在所述鳍部内形成开口；采用外延生长工艺在所述开口内形成源漏掺杂层，所述源漏掺杂层包括位于所述开口内壁表面的种子层、以及位于种子层表面的体层，所述种子层的材料内具有第一原子、第二原子和第三原子，所述体层的材料内具有第一原子和第二原子。从而，提高鳍式场效应晶体管的性能和可靠性。高鳍式场效应晶体管的性能和可靠性。高鳍式场效应晶体管的性能和可靠性。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，尤其是涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]随着集成电路制造技术的快速发展，促使集成电路中的半导体器件的尺寸不断地缩小，使整个集成电路的运作速度将因此而能有效地提升。
[0003]在超大规模集成电路中，通常通过在晶体管上形成应力，从而增大晶体管的载流子迁移率，以增大晶体管的驱动电流。
[0004]然而，现有技术形成的半导体器件的性能和可靠性有待提高。

技术实现思路

[0005]本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构及其形成方法，以提高鳍式场效应晶体管的性能和可靠性。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案提供一种半导体结构，包括：衬底，所述衬底包括基底、以及位于基底上的若干相互分立的鳍部，所述鳍部内具有开口，所述鳍部的材料内具有第一原子；位于所述开口内的源漏掺杂层，所述源漏掺杂层包括位于所述开口内壁表面的种子层、以及位于种子层表面的体层，所述种子层的材料内具有第一原子、第二原子和第三原子，所述体层的材料本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括基底、以及位于基底上的若干相互分立的鳍部，所述鳍部内具有开口，所述鳍部的材料内具有第一原子；位于所述开口内的源漏掺杂层，所述源漏掺杂层包括位于所述开口内壁表面的种子层、以及位于种子层表面的体层，所述种子层的材料内具有第一原子、第二原子和第三原子，所述体层的材料内具有第一原子和第二原子。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一原子为硅原子，所述第二原子为磷原子。3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第三原子为锗原子。4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第三原子在种子层内的浓度百分比分别小于第一原子在种子层内的浓度百分比、以及第二原子在种子层内的浓度百分比。5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第二原子在体层内的浓度百分比高于在种子层内的浓度百分比。6.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述锗原子的浓度百分比范围为5％～10％。7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，沿所述开口内壁表面方向上，所述种子层的厚度范围为2纳米至8纳米。8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在垂直于鳍部延伸方向的方向上，所述源漏掺杂层的最大宽度为45纳米。9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述源漏掺杂层的最大高度为60纳米。10.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述衬底表面的栅结构，所述栅结构横跨所述鳍部，并且，所述开口位于所述栅结构两侧的鳍部内。11.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括基底、以及位于基底上的若干相互分立的鳍部，所述鳍部的材料内具有第一原子；在所述鳍部内形成开口；采用外延生长工艺在所述开口内形成源漏掺杂层，所述源漏掺杂层包括位于所述开口内壁表面的种子层、以及位于种子层表面的体层，所述种子层的材料内具有第一原子、第二原子和第三...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘震宇，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：