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一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供衬底，所述衬底包括基底、以及位于基底上的若干相互分立的鳍部，所述鳍部的材料内具有第一原子；在所述鳍部内形成开口；采用外延生长工艺在所述开口内形成源漏掺杂层，所述源漏掺杂层包括位于所述开口内壁表面...
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