具有直接连到栅极、漏极和源极的金属互连的晶体管结构制造技术

本发明专利技术公开了一种晶体管结构。所述晶体管结构包含一半导体基底、一栅极结构、一信道区以及一第一导电区。所述半导体基底具有一半导体表面。所述栅极结构位于所述半导体表面上方，其中形成一第一凹槽以露出所述栅极结构。所述渠道区位于所述半导体表面下方。所述第一导电区电耦接所述渠道区，其中形成一第二凹槽被形成以露出所述第一导电区。在一光刻工艺中的掩模图案是用以定义所述第一凹槽，以及所述掩模图案仅用以定义所述第一凹槽的一维长度。因此，本发明专利技术可降低接触孔与栅极/漏极/源极之间的光刻工艺敏感性和未对准问题，且本发明专利技术公开一维掩模图案以减少由用于小接触孔开口的二维掩模图案引起的未对准问题。二维掩模图案引起的未对准问题。二维掩模图案引起的未对准问题。

【技术实现步骤摘要】
具有直接连到栅极、漏极和源极的金属互连的晶体管结构


[0001]本专利技术是涉及一种晶体管结构，尤其涉及一种具有直接连接到栅极、漏极和源极的金属互连的晶体管结构。

技术介绍

[0002]因为在1974年，由R.Dennard等人所发表的论文中，公开了缩小金属氧化物半导体场效应晶体管(metal
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oxide
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semiconductor field
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effect transistor,MOSFET))的所有尺寸的设计准则，所以如何缩小所述金属氧化物半导体场效应晶体管的尺寸成为主要的技术需求，其中所述主要的技术需求已改变硅晶圆的线性尺寸的最小特征尺寸(minimum feature size)。
[0003]请参照图1A
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1C，图1A
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1C是说明传统的鳍式场效应晶体管(fin field
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effect transistor,FinFET)的示意图，其中图1A是说明所述鳍式场效应晶体管的俯视图结构，图1B是沿图1A所示X轴方向本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体管结构，其特征在于包含：一半导体基底，具有一半导体表面；一栅极结构，位于所述半导体表面上方，其中形成一第一凹槽以露出所述栅极结构；一渠道区，位于所述半导体表面下方；及一第一导电区，电耦接所述渠道区，其中形成一第二凹槽以露出所述第一导电区；其中在一光刻工艺的一掩模图案是用以定义所述第一凹槽，以及所述掩模图案仅用以定义所述第一凹槽的一维长度。2.如权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于所述第一凹槽被一第一介电层围绕以及所述第二凹槽被一第二介电层围绕。3.如权利要求2所述的晶体管结构，其特征在于所述第一介电层和所述第二介电层是同时通过一氧化沉积工艺形成。4.如权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于所述第一凹槽的长度或所述第二凹槽的长度小于一最小特征尺寸。5.如权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于所述第一凹槽的垂直长度和所述第二凹槽的水平长度相同。6.如权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于另包含：一第一隔离区，相邻于所述第一导电区；其中所述第一导电区介于所述栅极结构和所述第一隔离区之间的长度是由一单一光刻工艺控制，且所述单一光刻工艺原本是用以定义所述栅极结构的长度。7.一种晶体管结构，其特征在于包含：一半导体基底，具有一半导体表面；一栅极结构，具有一长度，其中一第一凹槽位于所述栅极结构上方；一渠道区，位于所述半导体表面下方；及一第一导电区，电耦接所述渠道区，其中一第二凹槽位于第一导电区上方；其中在一光刻工艺的一掩模图案是用以定义所述第一凹槽，以及所述掩模图案的形状和所述第一凹槽的形状不同。8.如权利要求7所述的晶体管结构，其特征在于所述掩模图案的形状是条状，以及所述第一凹槽的形状是长方形或正方形。9.如权利要求7所述的晶体管结构，其特征在于所述第一导电区包含与所述半导体基底邻接的高掺杂区，以及包含与所述高掺杂区邻接的芯金属柱。10.如权利要求9所述的晶体管结构，其特征在于所述芯金属柱与所述半导体基底邻接，以及所述高掺杂区通过所述半导体基底电耦...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢超群，
申请(专利权)人：发明创新暨合作实验室有限公司，
类型：发明
国别省市：