具有条形形状的栅极电极和源极金属化的碳化硅器件制造技术

公开了具有条形形状的栅极电极和源极金属化的碳化硅器件。碳化硅器件(500)包括碳化硅本体(100)。碳化硅本体(100)包括中心区(610)和围绕中心区(610)的外周区(690)。中心区(610)包括第一导电类型的源极区(110)。外周区(690)包括第二导电类型的掺杂区(120)。条形形状的栅极电极(155)延伸通过中心区(610)并且进入到外周区(690)中。连续的源极金属化(310)被形成在中心区(610)上和外周区(690)的内部部分上。源极金属化(310)和源极区(110)在中心区(610)中形成第一欧姆接触。源极金属化(310)和掺杂区(120)在外周区(690)中形成第二欧姆接触。欧姆接触。欧姆接触。

【技术实现步骤摘要】
具有条形形状的栅极电极和源极金属化的碳化硅器件


[0001]本公开的示例涉及具有条形形状的栅极电极的碳化硅器件，特别是涉及具有绝缘栅晶体管单元和源极金属化的碳化硅器件。

技术介绍

[0002]功率半导体器件典型地被用作为用于变换电能的电路中(例如DC/AC转换器、AC/AC转换器或AC/DC转换器中)以及驱动重电感负载的电路中(例如马达驱动器电路中)的开关和整流器。由于碳化硅(SiC)的电介质击穿场强与硅(Si)相比高，因此SiC功率器件可以显著更薄，并且与它们的硅对应物相比可以示出更低的导通状态电阻。由于SiC晶片的质量对于实现高质量SiC功率器件是关键的，因此SiC晶片构成总的芯片成本的主要部分。因此，存在对于以小的付出来改善碳化硅器件的区域效率的持续的需要。

技术实现思路

[0003]本公开的实施例涉及一种碳化硅器件。碳化硅器件包括碳化硅本体，碳化硅本体包括中心区和围绕中心区的外周区。中心区包括第一导电类型的源极区。外周区包括第二导电类型的掺杂区。条形形状的栅极电极延伸通过中心区并且进入到外周区中。连续的源极金属化位于中心本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅器件(500)，包括：碳化硅本体(100)，其包括中心区(610)和围绕中心区(610)的外周区(690)，其中中心区(610)包括第一导电类型的源极区(110)，并且其中外周区(690)包括第二导电类型的掺杂区(120)；条形形状的栅极电极(155)，其延伸通过中心区(610)并且进入到外周区(690)中；以及在中心区(610)上和在外周区(690)的内部部分上的连续的源极金属化(310)，其中源极金属化(310)和源极区(110)在中心区(610)中形成第一欧姆接触，并且其中源极金属化(310)和掺杂区(120)在外周区(690)中形成第二欧姆接触。2.根据前项权利要求所述的碳化硅器件，其中所述碳化硅器件(500)包括具有外部横向边缘的多个第一欧姆接触，并且其中中心区(610)的第一横向边缘(611)是由连接被定向到中心区(610)的同一侧的外部横向边缘的线限定的。3.根据前述权利要求中的任何一项所述的碳化硅器件，进一步包括：与栅极电极(155)接触的栅极导体(332)，其中栅极导体(332)被形成在碳化硅本体(100)的第一主表面(101)上并且跨经栅极电极(155)的纵向中心。4.根据前述权利要求中的任何一项所述的碳化硅器件，进一步包括：与栅极电极(155)接触的栅极连接板(331)，其中栅极连接板(331)包括多晶硅，以...

【专利技术属性】
技术研发人员：R，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：