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本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法，包括衬底、第一电极层、功能层和第二电极层，功能层位于第一电极层和第二电极层中间，功能层包括第一区域和包围第一区域的U型结构的第二区域，第二区域的U型开口的朝向平行于衬底且远离第一区域，即U型开口...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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