包含线接合和直接芯片附接的堆叠裸片封装以及相关方法、装置和设备制造方法及图纸

描述了在堆叠裸片封装中使用线接合件和直接芯片附接(DCA)特征的系统、设备和方法。堆叠裸片封装包含衬底和竖直堆叠在所述衬底上方的至少第一半导体裸片和第二半导体裸片。第一半导体裸片的有源表面面向所述衬底的上表面，且所述第一半导体裸片通过直接芯片附接DCA特征可操作地耦合到所述衬底。所述第二半导体裸片的背侧表面面向所述第一半导体裸片的背侧表面。所述第二半导体裸片通过在其有源表面与所述衬底的所述上表面之间延伸的线接合件可操作地耦合到所述衬底。合件可操作地耦合到所述衬底。合件可操作地耦合到所述衬底。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包含线接合和直接芯片附接的堆叠裸片封装以及相关方法、装置和设备
[0001]优先权要求
[0002]本申请要求2019年6月10日申请的第16/468,168号美国专利申请的申请日的权益，所述美国专利申请为“包含线接合和直接芯片附接的堆叠裸片封装以及相关方法、装置和设备(Stacked Die Package Including Wire Bonding and Direct Chip Attachment,and Related Methods,Devices and Apparatuses)”。


[0003]本公开的实施例涉及一种包含线接合和引导芯片附接(DCA)的堆叠裸片封装，且更具体地说，涉及一种配置成经由堆叠裸片封装的衬底在堆叠裸片封装的主裸片与从裸片之间传送信号的堆叠裸片封装。其它实施例涉及形成堆叠裸片封装的方法以及相关存储器模块、存储器装置、半导体装置和系统，所述堆叠裸片封装包含经由DCA特征耦合到衬底的主裸片和经由线接合耦合到衬底的一或多个从小片。

技术介绍

[0004]堆叠半导体封装(例如，3D集成电路)包含多本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种设备，其包括：衬底；第一半导体裸片，其安置成接近于所述衬底，其有源表面面向所述衬底的上表面且通过直接芯片附接(DCA)特征以通信方式耦合到所述衬底；以及至少第二半导体裸片，其安置在所述第一半导体裸片上方，其背侧表面面向所述第一半导体裸片的背侧表面，其中所述至少所述第二半导体裸片通过第一线接合件以通信方式耦合到所述衬底。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述至少第二半导体裸片包括：第三半导体裸片，其安置在所述至少所述第二半导体裸片上方，其背侧表面面向所述至少所述第二半导体裸片的有源表面，其中所述第三半导体裸片通过第二线接合件以通信方式耦合到所述至少所述第二半导体裸片。3.根据权利要求1所述的设备，其中所述DCA特征定位于所述第一半导体裸片的所述上表面的中心部分与所述衬底的所述有源表面的中心部分之间。4.根据权利要求3所述的设备，其中额外DCA特征沿着所述第一半导体裸片的所述有源表面的第一横向端定位。5.根据权利要求4所述的设备，其中所述额外DCA特征进一步沿着所述第一半导体裸片的所述有源表面的第二相对的横向端定位。6.根据权利要求1所述的设备，其中所述至少第二半导体裸片通过所述第一线接合件以通信方式耦合到所述衬底，所述第一线接合件包括：第一组导线，其耦合在所述衬底的所述上表面的第一横向端与所述至少所述第二半导体裸片的所述有源表面的第一横向端之间；以及第二组导线，其耦合在所述衬底的所述上表面的所述第一横向端与所述至少所述第二半导体裸片的所述有源表面的所述第一横向端之间。7.根据权利要求6所述的设备，其进一步包括：第三半导体裸片，其安置在所述至少所述第二半导体裸片上方，其中所述第三半导体裸片通过以下以通信方式耦合到所述至少所述第二半导体裸片：第三组导线，其耦合在所述第三半导体裸片的所述有源表面的第一横向端与所述至少所述第二半导体裸片的所述有源表面的所述第一横向端之间；以及第四组导线，其耦合在所述第三半导体裸片的所述有源表面的第一横向端与所述至少所述第二半导体裸片的所述有源表面的所述第一横向端之间。8.根据权利要求1所述的设备，其中所述至少所述第二半导体裸片通过所述第一线接合件以通信方式耦合到所述衬底，所述第一线接合件包括：第一组导线，其耦合在所述衬底的所述上表面的第一横向端与所述至少所述第二半导体裸片的所述有源表面的第一横向端之间；以及第二组导线，其耦合在所述衬底的所述上表面的第二横向端与所述至少所述第二半导体裸片的所述有源表面的第二横向端之间。9.根据权利要求8所述的设备，其进一步包括：第三半导体裸片，其安置在所述至少所述第二半导体裸片上方且通过以下以通信方式耦合到所述衬底：
第三组导线，其耦合在所述衬底的所述上表面的所述第一横向端与所述第三半导体裸片的有源表面的第一横向端之间；以及第四组导线，其耦合在所述衬底的所述上表面的所述第二横向端与所述第三半导体裸片的所述有源表面的第二横向端之间。10.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一半导体裸片为主裸片，且所述至少所述第二半导体裸片为从裸片。11.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一半导体裸片配置成：经由所述衬底从所述至少所述第二半导体裸片接收信号；以及经由所述衬底将所述信号传输到所述至少所述第二半导体裸片。12.一种形成堆叠裸片装置的方法，其包括：将第一集成电路裸片安置在衬底上方，其中所述第一集成电路裸片的有源表面面向所述衬底的上表面；经由直接芯片附接(DCA)特征将所述第一集成电路裸片电耦合到所述衬底；将第二集成电路裸片安置在所述第一集成电路裸片上方，其中所述第二集成电路裸片的背侧表面面向所述第一集成电路裸片的背侧表面；以及经由第一线接合件将所述第二集成电路裸片电耦合到所述衬底。13.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括：将第三集成电路裸片安置在所述第二集成电路裸片上方，其中所述第三集成电路裸片的背侧表面面向所述第二集成电路裸片的有源表面。14.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括：经由所述DCA特征将所述第一集成电路裸片的所述有源表面的中心部分电耦合到所述衬底的所述上表面的中心部分。15.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括：经由所述DCA特征将所述第一集成电路裸片的所述有源表面的第一横向端电耦合到所述衬底的所述上表面的第一横向端。16.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括：经由所述第一线接合件将所述第二集成电路裸片的有源表面的第一横向端电耦合到所述衬底的所述上表面的第一横向端。17.根据权利要求16所述的方法，其进一步包括：经由所述第一线接合件将所述第二集成电路裸片的所述有源表面的相对的第二横向端电耦合到所述衬底的所述上表面的相对的第二横向端。18.根据权利要求12所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤澤宏樹，R，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：