【技术实现步骤摘要】
硅裸片的笔直导线接合
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2020年9月11提交的第63/077,069号美国临时专利申请的优先权和权益,此申请的全部内容以引用的方式并入本文中。
技术介绍
[0003]本申请大体上涉及在硅裸片之间提供电气连接,且更确切地说,涉及沿着竖直边缘电气地连接硅裸片。
[0004]在某些硅裸片结构中,连接垫放在裸片的顶部或底部。这占用了用于形成晶体管的宝贵空间,并且当裸片堆叠时,它们之间所需的连接要求裸片以阶梯形交错排列,从而导致形成完整或封装的集成装置需要更多空间。
技术实现思路
[0005]本文中所描述的工艺、装置和系统描述了沿着硅裸片的竖直边缘电气地连接裸片,从而降低所需要的横向空间要求。确切地说,通过将连接垫放在裸片的竖直边缘上,裸片可以竖直堆叠,而不需要使裸片交错排列来实现经由位于顶部或底部的连接垫形成的连接。实际上,可以沿着竖直对齐、在边缘安装的连接垫来进行线性连接,由此使硅裸片以完全竖直布置的方式堆叠。这减小了硅裸片的横向覆盖区,由此实现更小的总体外观尺寸 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种设备,其包括:衬底;两个或更多个硅裸片,其中第一裸片设置在所述衬底上,且第二裸片堆叠在所述第一裸片上,并且所述裸片包括:上部平坦表面,其与所述衬底平行;下部平坦表面,其与所述上部平坦表面平行且与所述上部平坦表面间隔第一距离;至少第一边缘部分,其设置在所述上部平坦表面和所述下部平坦表面之间且垂直于所述上部平坦表面和所述下部平坦表面;以及至少第一组连接垫,其设置在所述至少第一边缘部分上,并且其中所述第一组连接垫彼此竖直对齐;导电元件,其配置成耦合到所述第一组连接垫;以及多个焊料块,其耦合到所述导电元件且以与所述第一组连接垫中的所述连接垫之间的距离相关联的间隔隔开。2.根据权利要求1所述的设备,其中所述焊料块配置成被加热,使得所述焊料块回流并在所述导电元件和所述第一组连接垫之间产生焊接连接。3.根据权利要求1所述的设备,其中所述焊料块包括第一凹槽,所述第一凹槽具有量度为与所述第一距离大致相同的宽度且配置成在所述第一凹槽内接受所述硅裸片的边缘。4.根据权利要求3所述的设备,其中所述第一凹槽的所述宽度比所述第一边缘部分的宽度宽10%。5.根据权利要求4所述的设备,其中所述第一边缘部分的所述宽度是25微米。6.根据权利要求1所述的设备,其中所述导电元件电气地连接到所述衬底。7.根据权利要求6所述的设备,其中所述衬底包含通道,且所述导电元件在所述通道内电气地连接到所述衬底。8.根据权利要求1所述的设备,其进一步包括用于将所述第一裸片附接到所述第二裸片的构件。9.根据权利要求1所述的设备,其进一步包括裸片附接膜,所述裸片附接膜设置在所述第一裸片和所述第二裸片之间且物理地连接所述第一裸片和所述第二裸片。10.根据权利要求1所述的设备,其进一步包括用于隔开所述第一裸片与所述第二裸片的构件。11.根据权利要求1所述的设备,其中所述导电元件包括镀锡铜线。12.根据权利要求1所述的设备,其中所述两个或更多个硅裸片的第一子集在所述第一边缘上具有所述第一组连接垫,且所述两个...
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