半导体模块、其制造方法以及半导体模块的安装体技术

本发明专利技术提供一种能够降低制造成本的半导体模块、其制造方法以及半导体模块的安装体。本发明专利技术涉及一种具有层叠的多个管芯的半导体模块(1)，包括：第一管芯(11)；第二管芯(12)，其在与层叠方向(C)交叉的方向与第一管芯(11)排列设置；第三管芯(13)，其横跨第一管芯(11)和第二管芯(12)在层叠方向(C)上配置，并且与相向的第一管芯(11)和第二管芯(12)的布线面电连接；突出端子(14)，其从第一管芯(11)和第二管芯(12)的布线面突出，并且在与层叠方向(C)交叉的方向上与第三管芯(13)的至少一个侧面相邻的空间区域中突出；再布线层(16)，其与突出端子(14)重叠配置。出端子(14)重叠配置。出端子(14)重叠配置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体模块、其制造方法以及半导体模块的安装体


[0001]本专利技术涉及半导体模块、其制造方法以及半导体模块的安装体。

技术介绍

[0002]以往，作为存储装置，已知有DRAM(DynamicRandom Access Memory：动态随机存取存储器)等易失性存储器。对于DRAM，要求其大容量化而能够足以承受运算装置(以下称为逻辑芯片)的高性能化和数据量的增大。因此，一直在通过存储器(存储单元阵列、存储芯片)的微细化以及单元的平面增设来谋求大容量化。另一方面，由于微细化导致对噪声的脆弱性、管芯(die)面积的增加等，这种大容量化达到了极限。
[0003]因此，最近开发了层叠多个平面式存储器来进行三维化(3D化)从而实现大容量化的技术。此外，提出了通过重叠配置多个芯片来减小多个芯片的设置面积的半导体模块(例如参考专利文献1)。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：美国专利申请公开第2015/0255411号说明书。

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的问题本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种具有层叠的多个管芯的半导体模块，包括：第一管芯；第二管芯，其在与层叠方向交叉的方向与所述第一管芯排列设置；第三管芯，其横跨所述第一管芯和所述第二管芯在层叠方向上配置，并且与相向的所述第一管芯和第二管芯的布线面电连接；突出端子，其从所述第一管芯和所述第二管芯的布线面突出，并且在与层叠方向交叉的方向上与所述第三管芯的至少一个侧面相邻的空间区域中突出；以及再布线层，其与所述突出端子重叠配置。2.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，所述第二管芯是供电管芯，其将由所述突出端子供给的电力供给至所述第三管芯。3.根据权利要求1或2所述的半导体模块，其中，所述第二管芯在与层叠方向交叉的方向夹着所述第一管芯成对配置，所述第三管芯横跨所述第一管芯和所述成对配置的所述第二管芯成对配置。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体模块，其中，所述第三管芯具有阵列部和接口部，所述阵列部在层叠方向与所述第二管芯重叠，所述接口部在层叠方向与所述第一管芯重叠。5.根据权利要求1至4中任意一项所述的半导体模块，还具有：散热部，其作为所述第三管芯的散热路径与所述第三管芯重叠。6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体模块，还具有：在层叠方向排列设置在所述再布线层的多个外部端子，所述外部端子具有连接端子和非连接端子，所述连接端子隔着所述再布线层与所述突出端子电连接，所述非连接端子在层叠方向上配置在与所述第三管芯重叠的位置且不与所述突出端子电连接。7.根据权利要求6所述的半导体模块，其中，所述散热部由所述再布线层中与所述第三管芯重...

【专利技术属性】
技术研发人员：奥津文武，
申请(专利权)人：超极存储器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：