多层堆叠存储器封装结构及封装方法技术

本发明专利技术提供一种多层堆叠存储器封装结构及封装方法，该封装结构包括第一存储器芯片、多个第二存储器芯片、基板和塑封层；第二存储器芯片上设置有多个第一导电通孔，基板上设置有与多个第一导电通孔电连接的多个第二导电通孔；多个第二存储器芯片依次堆叠设置在基板上，多个第二存储器芯片之间混合键合连接，基板与所述第二存储器芯片热压键合连接；第一存储器芯片设置在多个第二存储器芯片背离所述基板的一侧上，第一存储器芯片与第二存储器芯片混合键合连接；塑封层包裹第一存储器芯片、多个第二存储器芯片和基板。本发明专利技术的封装结构，实现超细间距互连，增加存储器芯片的垂直互连的数量，提高数据吞吐量，增加容量。增加容量。增加容量。

【技术实现步骤摘要】
多层堆叠存储器封装结构及封装方法


[0001]本专利技术属于半导体封装
，具体涉及一种多层堆叠存储器封装结构及封装方法。

技术介绍

[0002]随着云计算及移动互连的发展，数据中心等服务器的需求量激增。高端服务器对存储器件要求高容量，大带宽，低功耗。为了应对此需求，各公司相继推出了以三维堆叠技术为基础的多层堆叠存储封装产品。如图1所示，多层堆叠存储器封装堆叠结构使用硅通孔2将数个存储器芯片1进行垂直互连，多个存储器芯片1通过凸点3焊接在一起，存储器芯片1堆叠在基板4上，芯片与芯片之间存在非导电胶5，整个存储器芯片结构有塑封层6保护，最后封装由焊球7与外界连接。由于硅通孔2具有密度高，垂直互连距离短的优势，数据传输速度大大提高。
[0003]目前，多层堆叠的存储器的多层芯片多叠采用热压键合(TCB，Thermal Compression Bond)工艺，通过快速加热，将凸点3与芯片背部焊盘8连接，芯片背部焊盘8与芯片的硅通孔2连接。目前凸点的成分主要是铜
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锡结构，而芯片背部焊盘的主要成分为镍<br/>‑
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多层堆叠存储器封装结构，其特征在于，所述封装结构包括第一存储器芯片、多个第二存储器芯片、基板和塑封层；所述第二存储器芯片上设置有多个第一导电通孔，所述基板上设置有与所述多个第一导电通孔电连接的多个第二导电通孔；所述多个第二存储器芯片依次堆叠设置在所述基板上，所述多个第二存储器芯片之间混合键合连接，所述基板与所述第二存储器芯片热压键合连接；所述第一存储器芯片设置在所述多个第二存储器芯片背离所述基板的一侧上，所述第一存储器芯片与所述第二存储器芯片混合键合连接；所述塑封层包裹所述第一存储器芯片、所述多个第二存储器芯片和所述基板。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第二存储器芯片朝向所述第一存储器芯片的表面设置有第一钝化层和第一金属焊盘，所述第二存储器芯片背离所述第一存储器芯片的表面设置有第二钝化层和第二金属焊盘；每相邻两层所述第二存储器芯片中的所述第一钝化层与所述第二钝化层混合键合连接；每相邻两层所述第二存储器芯片中的所述第一金属焊盘与所述第二金属焊盘混合键合连接。3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述第一存储器芯片朝向所述第二存储器芯片的表面设置有第三钝化层和第三金属焊盘；所述第三钝化层与所述第二存储器芯片朝向所述第一存储器芯片一侧的所述第一钝化层混合键合连接；所述第三金属焊盘与所述第二存储器芯片朝向所述第一存储器芯片一侧的第一金属焊盘混合键合连接。4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述基板朝向所述第二存储器芯片的表面设置有第四金属焊盘，靠近所述基板的所述第二存储器芯片其朝向所述基板的一侧设置有凸点；所述第四金属焊盘与所述凸点热压键合连接。5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括非导电胶膜，所述非导电胶膜包裹所述凸点。...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜茂华，吴明敏，
申请(专利权)人：通富微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：