晶片的清洗方法、晶片以及半导体元件技术

本实施方式涉及一种晶片的清洗方法、晶片以及半导体元件，上述晶片的清洗方法包括：擦洗步骤，通过包括以200rpm以下的旋转速度对清洗对象晶片进行擦刷处理的过程，来准备被刷式清洗的晶片，及清洗步骤，用清洗液清洗经过被刷式清洗的上述晶片，来准备被清洗的晶片；上述清洗步骤顺次包括一次清洗步骤和二次清洗步骤，上述擦洗步骤进行285秒以上，上述一次清洗步骤为用含有氨和过氧化氢的第一清洗液对被刷式清洗的上述晶片进行清洗来准备经一次清洗的晶片的步骤，上述二次清洗步骤为用含有盐酸和过氧化氢的第二清洗液对经一次清洗的上述晶片进行清洗的步骤。上述晶片进行清洗的步骤。上述晶片进行清洗的步骤。

【技术实现步骤摘要】
晶片的清洗方法、晶片以及半导体元件


[0001]本实施方式涉及一种晶片的清洗方法、晶片以及半导体元件。

技术介绍

[0002]碳化硅具有优异的耐热性和机械强度，并且物理和化学性能稳定，因此作为半导体材料受到关注。近年来，对于碳化硅单晶基板作为高功率器件等基板的需求正在增加。
[0003]包括这种碳化硅的基板(晶片)在制造工序中经过化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing，下面称为“CMP”)步骤。在CMP中，通过摩擦晶片和抛光垫来对晶片表面进行抛光，此时，向晶片和抛光垫之间供应浆料。浆料通常包括含有二氧化硅或氧化铝的胶体磨料和氧化剂等化合物。在CMP工序中对晶片进行抛光时，浆料中的磨料有相互凝聚的倾向，作为如上所述的磨料的凝聚结果，在结束CMP工序后，在晶片上可能大量存在颗粒力度为几微米或更大的杂质。并且，CMP工序不足以有效去除可能在晶片加工步骤中引入的金属杂质。这些杂质颗粒在进行后续工序时可能会在晶片表面造成划痕、缺陷等，并可能对器件特性产生不利影响。
[0004]因此，有必要考虑改进的清洗工本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片的清洗方法，其特征在于，包括：擦洗步骤，通过包括以200rpm以下的旋转速度对清洗对象晶片进行擦刷处理的过程，来准备经刷式清洗的晶片，及清洗步骤，用清洗液清洗经刷式清洗的上述晶片，来准备经清洗的晶片；上述清洗步骤顺次包括一次清洗步骤和二次清洗步骤，上述擦洗步骤进行285秒以上，上述一次清洗步骤为，用含有氨和过氧化氢的第一清洗液对经刷式清洗的上述晶片进行清洗来准备经一次清洗的晶片的步骤，上述二次清洗步骤为，用含有盐酸和过氧化氢的第二清洗液对经一次清洗的上述晶片进行清洗的步骤。2.根据权利要求1所述的晶片的清洗方法，其特征在于，上述清洗对象晶片含有4H结构的碳化硅，经清洗的上述晶片的一面包括Si面，在Si面的表面上出现硅原子层。3.根据权利要求1所述的晶片的清洗方法，其特征在于，在上述擦洗步骤中，上述清洗对象晶片和刷子旋转，上述清洗对象晶片的旋转速度为1rpm至50rpm，上述刷子的旋转速度为10rpm以上。4.根据权利要求1所述的晶片的清洗方法，其特征在于，上述擦洗步骤包括：第一擦洗步骤，用含有水的第一擦洗清洗液以200rpm以下的旋转速度对上述清洗对象晶片进行擦刷处理，来准备经第一擦洗处理的晶片，第二擦洗步骤，用含有氨水的第二擦洗清洗液以200rpm以下的旋转速度对经第一擦洗处理的上述晶片进行擦刷处理，来准备经第二擦洗处理的晶片，及第三擦洗步骤，用含有水的第三擦洗清洗液以200rpm以下的旋转速度对经第二擦洗处理的上述晶片进行擦刷处理，来准备经刷式清洗的晶片；上述第一擦洗步骤和第三擦洗步骤分别进行100秒以上，上述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴钟辉，刘日焕，具甲烈，金政圭，崔正宇，梁殷寿，张炳圭，高上基，
申请(专利权)人：赛尼克公司，
类型：发明
国别省市：