碳化硅晶片、外延晶片和半导体器件制造技术

本发明专利技术涉及一种碳化硅晶片，外延晶片以及半导体器件。所述碳化硅晶片具有一个表面和与所述一个表面相对的另一个表面。一个表面的平均Rmax粗糙度为2.0nm或更小，一个表面的平均Ra粗糙度为0.1nm或更小。边缘区域是从碳化硅晶片边缘到中心的距离为碳化硅晶片半径的5％到75％的区域，中心区域是在碳化硅晶片的中心具有碳化硅晶片半径的25％的区域。该一个表面边缘区域的平均Rmax粗糙度和一个表面中心区域的平均Rmax粗糙度之间的差值为0.01nm至0.5nm。本发明专利技术的碳化硅晶片在表面的几乎所有区域都具有优异的粗糙度和光学特性，并且表现出均匀的质量。出均匀的质量。出均匀的质量。

【技术实现步骤摘要】
碳化硅晶片、外延晶片和半导体器件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请主张2021年6月17日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10
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2021
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0078554的根据35USC 119(a)下的权益，出于所有目的，将其全部内容通过引用并入本文。


[0003]本专利技术涉及一种碳化硅晶片及由其制造的半导体器件。

技术介绍

[0004]碳化硅(SiC)具有优异的耐热性和机械强度，并且具有物理和化学稳定性，因此作为一种半导体材料备受关注。近年来，作为大功率器件的衬底，对碳化硅单晶衬底的需求不断增加。
[0005]作为制备SiC单晶的方法，有液相外延(LPE)、化学气相沉积(CVD)、物理气相传输(PVT)等。PVT是一种生长SiC单晶的方法，其通过将SiC原料装载到坩埚中，在坩埚顶部处理由SiC单晶组成的籽晶，然后通过感应加热方法加热坩埚，使原料升华，以在籽晶上生长SiC单晶。
[0006]PVT因其生长速度快，被最广泛地用于制备锭形式的SiC。然而，流经坩埚的电流本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶片，包括一个表面和与所述一个表面相对的另一个表面，其中，所述一个表面的平均Rmax粗糙度为2.0nm或更小，其中，所述一个表面的平均Ra粗糙度为0.1nm或更小，其中，边缘区域是从碳化硅晶片的边缘到中心的距离为碳化硅晶片的半径的5％到75％的区域，其中，中心区域是在碳化硅晶片的中心处具有碳化硅晶片的半径的25％的半径的区域，和其中，所述一个表面的边缘区域的平均Rmax粗糙度和所述一个表面的中心区域的平均Rmax粗糙度之间的差值为0.01nm至0.5nm。2.根据权利要求1所述的碳化硅晶片，其中，D65标准光源的总透光率为10％至40％。3.根据权利要求1所述的碳化硅晶片，其中，所述一个表面的平均Rmax粗糙度为1.5nm或更小。4.根据权利要求1所述的碳化硅晶片，其中，所述一个表面的边缘区域的平均Ra粗糙度与所述一个表面的中心区域的平均Ra粗糙度...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔正宇，甄明玉，朴钟辉，徐正斗，金政圭，具甲烈，
申请(专利权)人：赛尼克公司，
类型：发明
国别省市：