一种防止基座与PIN粘连的工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种防止基座与PIN粘连的工艺，外延过程中在基座下方增加辅助气路在PIN与基座结合处缝隙中通入少量HCL，使PIN与基座缝隙中硅烷热裂解过程减弱，降低缝隙中硅层厚度，外延过程后，继续通入一段时间HCL，在高温下使HCL与硅层反应成硅烷，进一步刻蚀掉缝隙中的硅层减少粘连。本发明专利技术可以使PIN与基座结合处沉积的硅明显减少，避免出现粘连，可满足PIN在升降时不粘连基座以保证放置工位无偏离，在不改变基座备件的条件下满足更厚外延产品的包硅需求，且工艺简单。且工艺简单。

【技术实现步骤摘要】
一种防止基座与PIN粘连的工艺


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，具体为一种防止基座与PIN粘连的工艺。

技术介绍

[0002]12寸外延产品在进行生长前会进行基座外延包硅处理。如图1所示，生长的硅层会覆盖基座2和PIN 1之间的缝隙中。如果缝隙的硅层3过厚将会造成PIN与基座粘连，造成硅片放置工位偏离，导致产品外延后的膜厚和电阻率形貌出现偏差，出现产品不合格。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供了一种防止基座与PIN粘连的工艺。
[0004]一种防止基座与PIN粘连的工艺，外延过程中在基座下方增加辅助气路在PIN与基座结合处缝隙中通入少量HCL，使PIN与基座缝隙中硅烷热裂解过程减弱，降低缝隙中硅层厚度，外延过程后，继续通入一段时间HCL，在高温下使HCL与硅层反应成硅烷，进一步刻蚀掉缝隙中的硅层减少粘连。
[0005]优选的，HCL用量为2
‑
4slm/min。
[0006]优选的，继续通入HCL的时间为100
‑
150s。
[0007]优选的，HCL与硅层反应温度为1150
‑
1170℃。。
[0008]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术可以使PIN与基座结合处沉积的硅明显减少，避免出现粘连，可满足PIN在升降时不粘连基座以保证放置工位无偏离，在不改变基座备件的条件下满足更厚外延产品的包硅需求，且工艺简单。
附图说明
[0009]图1为基座与PIN粘连的示意图。
[0010]图2为本专利技术的示意图。
具体实施方式
[0011]下面对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
[0012]一种防止基座与PIN粘连的工艺，如图2所示，在包硅处理过程中在基座2和PIN 1的结合处的下方通入HCL降低硅层的生长。具体方法如下：
[0013]外延过程中在基座2下方增加辅助气路4在PIN与基座结合处缝隙中通入HCL，HCL用量为2
‑
4slm/min。
[0014]使PIN与基座缝隙中硅烷热裂解过程减弱，降低缝隙中硅层厚度。外延过程后，继续通入HCL，HCL的通入时间为100
‑
150s，在1150
‑
1170℃下使HCL与硅层反应成硅烷，进一步刻蚀掉缝隙中的硅层减少粘连。
[0015]实施例1
[0016]外延过程中在基座下方增加辅助气路在PIN与基座结合处缝隙中通入HCL，HCL用
量为2slm/min。
[0017]使PIN与基座缝隙中硅烷热裂解过程减弱，降低缝隙中硅层厚度。外延过程后，继续通入HCL，HCL的通入时间为100s，在1150℃下使HCL与硅层反应成硅烷，进一步刻蚀掉缝隙中的硅层减少粘连。
[0018]实施例2
[0019]外延过程中在基座下方增加辅助气路在PIN与基座结合处缝隙中通入HCL，HCL用量为3slm/min。
[0020]使PIN与基座缝隙中硅烷热裂解过程减弱，降低缝隙中硅层厚度。外延过程后，继续通入HCL，HCL的通入时间为125s，在1160℃下使HCL与硅层反应成硅烷，进一步刻蚀掉缝隙中的硅层减少粘连。
[0021]实施例3
[0022]外延过程中在基座下方增加辅助气路在PIN与基座结合处缝隙中通入HCL，HCL用量为4slm/min。
[0023]使PIN与基座缝隙中硅烷热裂解过程减弱，降低缝隙中硅层厚度。外延过程后，继续通入HCL，HCL的通入时间为150s，在1170℃下使HCL与硅层反应成硅烷，进一步刻蚀掉缝隙中的硅层减少粘连。
[0024]本专利技术可以使PIN与基座结合处沉积的硅明显减少，避免出现粘连，可满足PIN在升降时不粘连基座以保证放置工位无偏离，在不改变基座备件的条件下满足更厚外延产品的包硅需求，且工艺简单。
[0025]以上显示和描述了本专利技术的基本原理和主要特征和本专利技术的优点,对于本领域技术人员而言，显然本专利技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本专利技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本专利技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本专利技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本专利技术内。
[0026]此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包括一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种防止基座与PIN粘连的工艺，其特征在于：外延过程中在基座下方增加辅助气路在PIN与基座结合处缝隙中通入少量HCL，使PIN与基座缝隙中硅烷热裂解过程减弱，降低缝隙中硅层厚度，外延过程后，继续通入一段时间HCL，在高温下使HCL与硅层反应成硅烷，进一步刻蚀掉缝隙中的硅层减少粘连。2.根据权利要求1所述的防止基座与PIN粘连的工艺，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄皓宽，常雪岩，杜金生，王余旭，张坤，叶建，
申请(专利权)人：中环领先半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：