制造碳化硅锭的方法、碳化硅锭及其生长系统技术方案

在本发明专利技术的制造碳化硅锭的方法、碳化硅锭、制造碳化硅锭的系统中，碳化硅锭通过以下方法提供：准备坩埚组件，该坩埚组件包括具有内部空间的坩埚本体和覆盖该坩埚本体的坩埚盖；布置原料和碳化硅晶种，然后生长碳化硅锭并进行应用等，使得基于原料的重量为1，坩埚组件的重量为1.5至2.7。因此，提供了具有大面积的同时具有减少缺陷的碳化硅锭。的同时具有减少缺陷的碳化硅锭。的同时具有减少缺陷的碳化硅锭。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】制造碳化硅锭的方法、碳化硅锭及其生长系统


[0001]本说明书中公开的示例性实施方式涉及一种制造碳化硅锭的方法、一种碳化硅锭和一种生长碳化硅锭的方法。

技术介绍

[0002]碳化硅(SiC)、硅(Si)、氮化镓(GaN)、蓝宝石(Al2O3)、砷化镓(GaAs)、氮化铝(AlN)等单晶具有无法从其多晶对应物预期的特性。因此，工业上对其的需求正在增加。
[0003]特别是，单晶碳化硅(SiC)具有大的能带隙并且与硅(Si)相比具有优异的最大击穿电压(break field voltage)和热导率。另外，单晶碳化硅的载流子迁移率与硅相当，其电子饱和漂移速率和击穿电压也大。凭借这些特性，单晶碳化硅有望应用于要求高效率、高击穿电压和大容量的半导体设备。
[0004]对于生长碳化硅的方法，存在液相外延(LPE)、化学气相沉积(CVD)和物理气相传输(PVT)。其中，物理气相传输法(PVT)对于锭型碳化硅生长具有高生长速率，因此被广泛使用，也被称为晶种型升华法。
[0005]作为此单晶的制备方法，例如，日本公开专利公开号2001<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种制造碳化硅锭的方法，包括：准备步骤，准备坩埚组件，所述坩埚组件包括具有内部空间的坩埚本体和覆盖该坩埚本体的坩埚盖；原料放置步骤，将原料放置于坩埚组件中并在距原料预定距离处放置碳化硅晶种；和生长步骤，将坩埚本体的内部空间调整为晶体生长气氛，使得原料气相传输以沉积在碳化硅晶种上，并制备从碳化硅晶种生长的碳化硅锭，其中，坩埚组件具有当原料的重量被视为1时，坩埚组件的重量为原料的重量的1.5至2.7倍的重量比Rw。2.权利要求1所述的制造碳化硅锭的方法，其中，所述坩埚组件具有长度比Rl，Rl是从原料所处的底面到碳化硅晶种表面的长度之比，当坩埚本体的内部空间的直径被视为1时，Rl为大于1倍且小于等于2.5倍。3.权利要求2所述的制造碳化硅锭的方法，其中，所述坩埚组件具有根据以下公式1的重量
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长度系数Cwl，Cwl为0.6至2.2，公式1其中，Cwl为重量
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长度系数，Rw为重量比，Rl为长度比。4.权利要求1所述的制造碳化硅锭的方法，其中，碳化硅锭的表面具有10k/cm2以下的凹坑。5.权利要求1所述的制造碳化硅锭的方法，其中，所述碳化硅锭是4英寸以上的大直径碳化硅锭。6.一种制造碳化硅晶片的方法，包括：准备步骤，准备坩埚组件，所述坩埚组件包括具有内部空间的坩埚本体和覆盖坩埚本体的坩埚盖；原料放置步骤，将原料放置于坩埚组件中并在距原料预定距离处放置碳化硅晶种；生长步骤，将坩埚本体的内部空间调整为晶体生长气氛，使原料气相传输以沉积在碳化硅晶种上，并制备从碳化硅晶种生长的碳化硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴钟辉，崔正宇，金政圭，具甲烈，甄明玉，
申请(专利权)人：赛尼克公司，
类型：发明
国别省市：