【技术实现步骤摘要】
一种降低碳化硅单晶内部碳包体缺陷密度的装置
[0001]本技术涉及碳化硅单晶制备
，具体涉及一种降低碳化硅单晶内部碳包体缺陷密度的装置。
技术介绍
[0002]碳化硅单晶是制备射频功率器件、高压电力电子器件的新型第三代半导体材料。目前国际上主流的碳化硅单晶生长采用的是物理气相传输法。通常采用石墨材料作为坩埚，将碳化硅粉料放置于坩埚底部，碳化硅籽晶固定在坩埚顶部，利用底部与顶部存在的温度梯度，高温形成的Si(g)、C(g)、Si2C(g)、SiC2(g)等气相组份会在碳化硅籽晶处凝结生长，形成几十毫米厚的SiC单晶。
[0003]碳化硅单晶一般是在2200℃以上的高温下生长数十至上百小时得到，在这样一个高温环境下，碳化硅粉料中的Si组份会优先升华，而碳化硅粉料的尺度一般在几十微米至几毫米，经过晶体生长几十至上百小时的过程，碳化硅粉体区域会形成越来越多的残余碳颗粒及碳颗粒团聚物质。这些物质克服重力影响后，在晶体生长过程中有一部分会随着生长气流进入碳化硅单晶内部，形成尺度在微米级别的镶嵌碳包体缺陷，由于碳颗粒团簇等原...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种降低碳化硅单晶内部碳包体缺陷密度的装置，其特征在于，包括坩埚本体，坩埚本体上部设置有坩埚盖；坩埚盖内表面固定连接有籽晶托，所述籽晶托下表面固定有碳化硅籽晶，所述碳化硅籽晶用于生长碳化硅晶体；所述坩埚本体内设置有碳化硅隔板，所述碳化硅隔板上分布有若干的孔隙，所述孔隙的孔径为0.1
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50μm，所述坩埚本体内底部设置有物料区，所述物料区用于放置碳化硅粉料，所述碳化硅隔板用...
【专利技术属性】
技术研发人员：毛开礼，魏汝省，李斌，戴鑫，李天，范云，靳霄曦，
申请(专利权)人：山西烁科晶体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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