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本实用新型公开了一种降低碳化硅单晶内部碳包体缺陷密度的装置，涉及碳化硅单晶制备技术领域；包括坩埚本体，坩埚本体上部设置有坩埚盖；坩埚盖内表面固定连接有籽晶托，籽晶托下表面固定有碳化硅籽晶，碳化硅籽晶用于生长碳化硅晶体；坩埚本体内设置有碳化硅...
该专利属于山西烁科晶体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山西烁科晶体有限公司授权不得商用。

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