单晶成长的方法技术

一种单晶成长的方法包含：放置多晶源材料于单晶成长机台的腔室中。放置晶种层于单晶成长机台的腔室中，且晶种层固定于单晶成长机台的上盖下。借由单晶成长机台的加热器加热多晶源材料以沉积半导体材料层于晶种层上。在沉积半导体材料层之后，提供冷却气体于上盖的背侧以冷却晶种层与半导体材料层。以冷却晶种层与半导体材料层。以冷却晶种层与半导体材料层。

【技术实现步骤摘要】
单晶成长的方法


[0001]本专利技术的一些实施方式是关于一种单晶成长的方法，尤其是关于如何冷却晶体的方法。

技术介绍

[0002]物理气相传输(physical vapor transport，PVT)为一种适合用于形成晶体(例如碳化硅)的技术。在形成晶体材料或冷却晶体材料期间，晶体中的温度梯度变化所造成的热应力(thermal stress)容易造成晶体中不同种类的缺陷，例如微管(Micro
‑
pipe)、基面差排(basal plane dislocation)、穿透刃状差排(threading edge dislocation)等。这些缺陷可能会使后续形成的半导体元件良率下降。

技术实现思路

[0003]根据本专利技术的一些实施方式，一种单晶成长的方法包含：放置多晶源材料于单晶成长机台的腔室中。放置晶种层于单晶成长机台的腔室中，且晶种层固定于单晶成长机台的上盖下。借由单晶成长机台的加热器加热多晶源材料以沉积半导体材料层于晶种层上。在沉积半导体材料层之后，提供冷却气体于上盖的背侧以冷却晶种层与半导体材料层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单晶成长的方法，其特征在于，包含：放置多晶源材料于单晶成长机台的腔室中；放置晶种层于该单晶成长机台的该腔室中，且该晶种层固定于该单晶成长机台的上盖下；借由该单晶成长机台的加热器加热该多晶源材料以沉积半导体材料层于该晶种层上；及在沉积该半导体材料层之后，提供冷却气体于该上盖的背侧以冷却该晶种层与该半导体材料层。2.根据权利要求1所述的方法，其中提供该冷却气体于该上盖的该背侧以使得该晶种层的温度梯度大于该半导体材料层的温度梯度。3.根据权利要求1所述的方法，其中还包含改变该冷却气体的流速。4.根据权利要求1所述的方法，其中该单晶成长机台还包含保温盖，置于该上盖上，该保温盖具有复数个开口，其中提供该冷却气体于该上盖的该背侧包含自供气源提供该冷却气体至该保温盖的至少该些开口，使得该冷却气体于该些开口以及该保温盖与该上盖之间的间隙间流通。5.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈中怡，
申请(专利权)人：鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：