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一种单晶成长的方法包含：放置多晶源材料于单晶成长机台的腔室中。放置晶种层于单晶成长机台的腔室中，且晶种层固定于单晶成长机台的上盖下。借由单晶成长机台的加热器加热多晶源材料以沉积半导体材料层于晶种层上。在沉积半导体材料层之后，提供冷却气体于上...
该专利属于鸿海精密工业股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过鸿海精密工业股份有限公司授权不得商用。

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