碳化硅粉末、利用其制造碳化硅晶锭的方法及碳化硅晶片技术

本发明专利技术公开了一种碳化硅粉末、碳化硅粉末的制备方法及碳化硅晶片。碳化硅粉末包含碳和硅，并且在碳化硅粉末中，通过X射线光电子能谱法测量的表面的O1s/C1s是0.28以下。法测量的表面的O1s/C1s是0.28以下。法测量的表面的O1s/C1s是0.28以下。

【技术实现步骤摘要】
碳化硅粉末、利用其制造碳化硅晶锭的方法及碳化硅晶片


[0001]实施例涉及一种碳化硅粉末、碳化硅晶锭(ingot)的制备方法及碳化硅晶片。

技术介绍

[0002]碳化硅(silicon carbide，SiC)具有优异的耐热性和机械强度，且具有很强的抗辐射性能，并且具有可用于制造大口径基板的优点。此外，碳化硅具有优异的物理强度和耐化学性，且具有较大的能带隙(energy bandgap)，还具有较大的电子饱和漂移速度和耐压。因此，不仅广泛用于需要满足大功率、高效、耐高压、大容量的半导体器件中，还广泛用于磨具、轴承、防火板等中。
[0003]碳化硅可通过对碳化硅废弃物等碳原料进行热处理或通电等多种方法制备。作为现有方法，具有艾奇逊法、反应烧结法、常压烧结法、化学气相沉积(CVD，chemical vapor deposition)法等。然而，这些方法的问题在于碳原料的残留，并且还具有如下缺陷，即这些残留物作为杂质使碳化硅的热、电和机械性能降低。
[0004]作为一例，日本公开专利第2002
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326876号公开了本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅粉末，其中，包含：碳和硅，通过X射线光电子能谱法测量的O1s/C1s为0.28以下。2.根据权利要求1所述的碳化硅粉末，其中，通过所述X射线光电子能谱法测量的表面的O1s/Si2p为0.39以下。3.根据权利要求2所述的碳化硅粉末，其中，通过所述X射线光电子能谱法测量的表面的表面氧比率为13原子％以下。4.根据权利要求3所述的碳化硅粉末，其中，通过所述X射线光电子能谱法测量的表面的N1s/C1s为0.018以下。5.根据权利要求4所述的碳化硅粉末，其中，根据蚀刻时间的氧浓度变化为2原子％/100s以下的深度的氧浓度是5原子％以下。6.根据权利要求1所述的碳化硅粉末，其中，通过所述X射线光电子能谱法测量的表面的Zn2p/C1s为0.023以下。7....

【专利技术属性】
技术研发人员：朴钟辉，具甲烈，金政圭，崔正宇，徐正斗，甄明玉，
申请(专利权)人：赛尼克公司，
类型：发明
国别省市：