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本发明涉及一种碳化硅晶片，外延晶片以及半导体器件。所述碳化硅晶片具有一个表面和与所述一个表面相对的另一个表面。一个表面的平均Rmax粗糙度为2.0nm或更小，一个表面的平均Ra粗糙度为0.1nm或更小。边缘区域是从碳化硅晶片边缘到中心的距离...
该专利属于赛尼克公司所有，仅供学习研究参考，未经过赛尼克公司授权不得商用。

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