半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质，其使在衬底上形成的氧化膜的特性提高。交替地进行形成包含原子X的第1氧化膜的工序，其非同时地进行下述工序：形成包含第1官能团键合在原子X上的成分的第1层的工序，和使第1层氧化而形成包含原子X及氧的第2层的工序；和形成包含原子X的第2氧化膜的工序，其非同时地进行下述工序：形成包含第1官能团键合在原子X上的成分的第3层的工序，和在成为氧化力比使第1层氧化时的氧化力高的处理条件下，形成使第3层氧化而包含原子X及氧的第4层的工序。子X及氧的第4层的工序。子X及氧的第4层的工序。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质


[0001]本专利技术涉及半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质。

技术介绍

[0002]作为半导体器件的制造工序的一个工序，存在进行下述衬底处理工序的情况：交替地反复进行对衬底供给原料的工序、对衬底供给氧化剂的工序，由此进行在衬底上形成氧化膜(例如，参见专利文献1、2)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2008
‑
135633号公报
[0006]专利文献2：日本特开2010
‑
153776号公报

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的课题
[0008]本专利技术的目的在于提高在衬底上形成的氧化膜的特性。
[0009]用于解决课题的手段
[0010]根据本专利技术的一方式，提供如下技术,，其具有将下述(a)和(b)交替地进行规定次数从而在衬底上形成第1氧化膜与第2氧化膜交替层叠而成的氧化膜的工序：
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.半导体器件的制造方法，其具有将下述(a)和(b)交替地进行规定次数从而在衬底上形成第1氧化膜与第2氧化膜交替层叠而成的氧化膜的工序：(a)通过将非同时地进行下述(a1)和(a2)的循环进行n1次(n1为1以上的整数)从而形成包含原子X的所述第1氧化膜的工序：(a1)对所述衬底供给具有在所述原子X上直接键合有第1官能团和第2官能团的部分结构、且所述第1官能团与所述原子X的键能比所述第2官能团与所述原子X的键能高的原料，形成包含在所述原子X上键合有所述第1官能团的成分的第1层的工序；和(a2)对所述衬底供给第1氧化剂，使所述第1层氧化，形成包含所述原子X及氧的第2层的工序；和(b)通过将非同时地进行下述(b1)和(b2)的循环进行n2次(n2为1以上的整数)从而形成包含所述原子X的所述第2氧化膜的工序：(b1)对所述衬底供给所述原料，形成包含在所述原子X上键合有所述第1官能团的成分的第3层的工序；和(b2)在氧化力变得比(a2)中使所述第1层氧化时的氧化力高的处理条件下对所述衬底供给第2氧化剂，使所述第3层氧化，形成包含所述原子X及氧的第4层的工序。2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述原子X具有4个结合键，所述原子X的4个结合键中的3个结合键的各自上键合有所述第1官能团，所述原子X的4个结合键中的剩余的1个结合键上键合有所述第2官能团，在(a1)及(b1)中，在所述原子X的3个结合键的各自上键合有所述第1官能团的状态下，在所述原子X向所述衬底的表面吸附的处理条件下供给所述原料。3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在(a1)及(b1)中，在下述条件下供给所述原料：所述第1官能团不从所述原料中所含的所述原子X脱离而所述第2官能团脱离，并且，处于所述第2官能团脱离且与所述第1官能团的键合被维持的状态下的所述原子X向所述衬底的表面吸附。4.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其中，在(a1)及(b1)中，在下述条件下供给所述原料：与从所述原子X脱离的所述第2官能团向所述衬底的表面的吸附相比，处于所述第2官能团脱离且与所述第1官能团的键合被维持的状态下的所述原子X向所述衬底的表面的吸附处于支配地位。5.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，在(a1)及(b1)中，利用吸附于所述衬底的表面的所述原子X上所键合的所述第1官能团，阻碍原子及分子中的至少任一者向吸附于所述衬底的表面的所述原子X的吸附，并且阻碍原子及分子中的至少任一者向其周边的所述衬底的表面中的吸附位点的吸附。6.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，在(a1)及(b1)中，利用吸附于所述衬底的表面的所述原子X上所键合的所述第1官能团，使其周边的所述衬底的表面中的吸附位点保持。7.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，在(a1)及(b1)中，使所述原子X不连续地吸附于所述衬底的表面。8.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，在(a1)及(b1)中，持续供给所述原料，直至所述原子X向所述衬底的表面的吸附反应饱和。9.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述原子X向所述衬底的表面的吸附反应饱和的状态下，由吸附于所述衬底的表面的原子X构成的层的厚度小于1原子
层。10.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述原子X向所述衬底的表面的吸附反应饱和的状态下，使所述衬底的表面的一部分保持吸附位点。11.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述原子X向所述衬底的表面的吸附反应饱和的状态下，所述衬底的表面成为由所述第1官能团覆盖的状态。12.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在(a2)中，在所述第1层中所含的与所述原子X键合的所述第1官能团中所含的第3官能团、及与所述原子X键合的所述第1官能团中的至少任一者脱离的处理条件下，供给所述第1氧化剂，在(b2)中，在所述第3层中所含的与所述原子X键合的所述第1官能团中所含的第3官能团、及与所述原子X键合的所述第1官能团脱离的处理条件下，供给所述第2氧化剂。13.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第1官能团包含烷氧基，所述第2官能团包含氨基、烷基、卤代基、羟基、氢基、芳基、乙烯基及硝基中的至少任一者。14.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第1氧化剂包含O2气体、NO气体、N2O气体、NO2气体中的至少任一者，所述第2氧化剂包含O2气体+H2气体、O3气体+H2气体、H2O2气体+H2气体、H2O+H2气体、O3气体、H2O2气体、H2O气体、等离子体激发的O2气体中的至少任一者。15.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，将(a)中的处理温度设为550℃以上且700℃以下，将(b)中的处理温度设为550℃以上且700℃以下...

【专利技术属性】
技术研发人员：清水富介，永户雅也，尾崎贵志，桥本良知，原田胜吉，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：