一种降低高氧硅衬底BMD的工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种降低高氧硅衬底BMD的工艺，其工艺包括以下步骤：S1、首先将8寸直拉抛光片、氧气、氩气、氨水、双氧水、盐酸和氢氟酸按照组分的重量份比称取各相应比例的组分，并放置到相应的储存器皿内部进行备用，将8寸直拉抛光片进行拉晶加工，拉晶加工完成后进行滚磨和切断加工，滚磨和切断加工完成后进行粘棒和线切加工，粘棒和线切加工完成后进行脱胶清洗加工，脱胶清洗加工完成后进行切片检验，切片检验完成后进行倒角和磨片，S2、然后对磨片后的8寸直拉抛光片进行清洗和腐蚀处理。本发明专利技术能够不受初始晶体的原生BMD核数量多少以及大小分布的影响，并且可以形成均匀且可控的BMD密度，具有一定的DZ区域，对于金属吸杂有着更好的效果。好的效果。好的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种降低高氧硅衬底BMD的工艺


[0001]本专利技术涉及RTP设备
，具体为一种降低高氧硅衬底BMD的工艺。

技术介绍

[0002]由于半导体产品快速发展和广泛应用，对于硅衬底品质与工艺的要求也越来越高，不同的产品对硅衬底有对应的特性需求，用于Life time的监控片需要低BMD和低金属杂质污染的硅衬底，低氧产品虽然具有较少的BMD，但其强度无法适应后道热制程，且BMD太少也会影响金属吸杂的效果，高氧产品虽然具备一定强度，但其在后道的热制程中会产生较多的BMD，影响少子寿命，早期的白板工艺是通过低温(900℃左右)消除晶体部分BMD的方法以达到低BMD的效果。
[0003]但是由于单晶拉制工艺的不同，单晶的原生核分布、大小和数量取决于很多因素，这些因素包括碳和氧的浓度、晶体凝固的冷却速度、氧沉淀大小分布显著扩大的温度范围、产生相关缺陷的反应所留下的空位浓度等，考虑到问题中的大量变量，单晶会存在各种各样的初始氧沉淀，即使在相同氧含量的产品中也存在很大的变化，当出现单晶几乎无初始氧沉淀的现象，低温工艺几乎无BMD可消除，也无法达到本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种降低高氧硅衬底BMD的工艺，其特征在于：其工艺包括以下步骤：S1、首先将8寸直拉抛光片、氧气、氩气、氨水、双氧水、盐酸和氢氟酸按照组分的重量份比称取各相应比例的组分，并放置到相应的储存器皿内部进行备用，将8寸直拉抛光片进行拉晶加工，拉晶加工完成后进行滚磨和切断加工，滚磨和切断加工完成后进行粘棒和线切加工，粘棒和线切加工完成后进行脱胶清洗加工，脱胶清洗加工完成后进行切片检验，切片检验完成后进行倒角和磨片；S2、然后对磨片后的8寸直拉抛光片进行清洗和腐蚀处理，腐蚀处理完成后进行再次清洗并且进行目检，目检过后对8寸直拉抛光片进行再次清洗，将清洗完成后进行退火处理，退火处理完成后进行RTP加工处理，RTP加工处理完成后进行减薄处理并且进行清洗，清洗后进行边抛加工处理，边抛处理完成后进行清洗并且对抛光片进行目检观察；S3、最后对目检后的抛光片进行抛前分选和抛光处理，抛光处理完成后进行预清洗，预清洗结束后进行几何参数检测，几何参数检测结束后进行目检并且进行最终的清洗，最终的清洗完成后进行颗粒检测，颗粒检测完成后进行最后的包装成品入库即可。2.一种降低高氧硅衬底BMD的工艺，其特征在于：其一种降低高氧硅衬底BMD的工艺的辅料组成为：8寸直拉抛光片；氧气：99.9％；氩气：99.999％；氨水分析纯含量：28％
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30％；盐酸分析纯含量：35％

【专利技术属性】
技术研发人员：王昊宇，谢江华，
申请(专利权)人：中环领先半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：