一种提高碳掺杂砷化镓铟空穴浓度的生长方法技术

本发明专利技术提供一种提高碳掺杂砷化镓铟空穴浓度的生长方法，步骤包括：S1.准备基体；S2.向上生长第一外延层，所述第一外延层是C掺杂GaAs外延层或非掺杂InAs外延层；S3.向上生长第二外延层，其中，当所述第一外延层是C掺杂GaAs外延层时，所述第二外延层为非掺杂InAs外延层；当所述第一外延层是非掺杂InAs外延层时，所述第二外延层为C掺杂GaAs外延层；S4.重复步骤S2和步骤S3直至达到预设厚度。由于C在GaAs中更容易占据As位置提供空穴，因此在掺杂控制过程中只需要在GaAs外延层掺杂，在InAs外延层中不掺杂，就能够避免C占据In位置，提高空穴激活率。穴激活率。穴激活率。

【技术实现步骤摘要】
一种提高碳掺杂砷化镓铟空穴浓度的生长方法


[0001]本专利技术属于半导体材料外延生长
，具体涉及一种提高碳掺杂砷化镓铟空穴浓度的生长方法。

技术介绍

[0002]目前，砷化镓铟（InGaAs）材料广泛用于制备各种光电子器件以及高频微电子器件如发光二极管、激光二极管、光电探测器以及异质结双极晶体管等。在进行这些器件制造之前首先需要进行外延生长，在外延生长过程中对材料进行n型或者p型掺杂以形成载流子层，为器件提供载流子或者降低器件的电阻。
[0003]外延生长过程中通常采用碳（C）掺杂剂作为InGaAs的p型掺杂，为InGaAs薄膜提供空穴。C掺杂具有高溶解度、低扩散系数的优点，广泛用于制备各种外延材料结构。但是C掺杂的InGaAs生长难度较大，主要是因为C
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Ga的束缚能大于C
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As的束缚能大于C
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In的束缚能，在GaAs中C更容易占据As位提供一个空穴，在InAs中C更容易占据In位提供一个电子。因此要求在生长C掺杂InGaAs材料过程中必须精确调控生长条件，才能有效控制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高碳掺杂砷化镓铟空穴浓度的生长方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.准备基体；S2.向上生长第一外延层，所述第一外延层是C掺杂GaAs外延层或非掺杂InAs外延层；S3.向上生长第二外延层，其中，当所述第一外延层是C掺杂GaAs外延层时，所述第二外延层为非掺杂InAs外延层；当所述第一外延层是非掺杂InAs外延层时，所述第二外延层为C掺杂GaAs外延层；S4.重复步骤S2和步骤S3直至达到预设厚度。2.根据权利要求1所述的提高碳掺杂砷化镓铟空穴浓度的生长方法，其特征在于，步骤S1所述基体是衬底或生长在衬底上的外延层。3.根据权利要求1所述的提高碳...

【专利技术属性】
技术研发人员：高汉超，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十五研究所，
类型：发明
国别省市：