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本发明提供一种提高碳掺杂砷化镓铟空穴浓度的生长方法，步骤包括：S1.准备基体；S2.向上生长第一外延层，所述第一外延层是C掺杂GaAs外延层或非掺杂InAs外延层；S3.向上生长第二外延层，其中，当所述第一外延层是C掺杂GaAs外延层时，所...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。

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