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本发明公开了一种降低高氧硅衬底BMD的工艺，其工艺包括以下步骤：S1、首先将8寸直拉抛光片、氧气、氩气、氨水、双氧水、盐酸和氢氟酸按照组分的重量份比称取各相应比例的组分，并放置到相应的储存器皿内部进行备用，将8寸直拉抛光片进行拉晶加工，拉晶...
该专利属于中环领先半导体材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中环领先半导体材料有限公司授权不得商用。

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