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本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质，其使在衬底上形成的氧化膜的特性提高。交替地进行形成包含原子X的第1氧化膜的工序，其非同时地进行下述工序：形成包含第1官能团键合在原子X上的成分的第1层的工序，和使第1层氧...
该专利属于株式会社国际电气所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社国际电气授权不得商用。

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