【技术实现步骤摘要】
垂直晶体管,集成电路,以及形成垂直晶体管及集成电路的方法
[0001]本文中揭示的实施例涉及垂直晶体管、集成电路、形成垂直晶体管的方法,以及形成集成电路的方法。
技术介绍
[0002]存储器是一种类型的集成电路且用于计算机系统中以存储数据。存储器可制造成个别存储器单元的一或多个阵列。可使用数字线(其也可称为位线、数据线或感测线)及存取线(其也可称为字线、栅极线(gateline或gate line))对存储器单元进行写入或读取。数字线可沿着阵列的列使存储器单元导电互连,且存取线可沿着阵列的行使存储器单元导电互连。每一存储器单元可通过数字线及存取线的组合唯一地寻址。
[0003]存储器单元可为易失性的、半易失性的或非易失性的。非易失性存储器单元可在没有电力的情况下存储数据达延长时间段。常规上将非易失性存储器指定为具有至少约10年的保持时间的存储器。易失性存储器消散,且因此经刷新/重写以维持数据存储。易失性存储器可具有数毫秒或更短的保持时间。无论如何,存储器单元经配置以在至少两种不同的可选状态中保持或存储存储器。在二进制 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种垂直晶体管,其包括:顶部源极/漏极区、底部源极/漏极区、垂直地位于所述顶部与底部源极/漏极区之间的沟道区,及可操作地横向邻近所述沟道区的栅极;及所述沟道区具有0.005到小于1原子百分比的元素形式H的平均浓度。2.根据权利要求1所述的垂直晶体管,其中元素形式H的所述平均浓度不超过0.5原子百分比。3.根据权利要求2所述的垂直晶体管,其中元素形式H的所述平均浓度不超过0.25原子百分比。4.根据权利要求3所述的垂直晶体管,其中元素形式H的所述平均浓度不超过0.1原子百分比。5.根据权利要求4所述的垂直晶体管,其中元素形式H的所述平均浓度不超过0.01原子百分比。6.根据权利要求1所述的垂直晶体管,其中所有所述沟道区具有0.005到小于1原子百分比的元素形式H的浓度。7.根据权利要求1所述的垂直晶体管,其中所述沟道区包括硅。8.一种集成电路,其包括:下阵列,其包括垂直晶体管;所述下阵列垂直晶体管个别包括下阵列顶部源极/漏极区、下阵列底部源极/漏极区、垂直地位于所述下阵列顶部与底部源极/漏极区之间的下阵列沟道区,及可操作地横向邻近所述下阵列沟道区的下阵列栅极;垂直晶体管的上阵列,其在垂直晶体管的所述下阵列上方间隔,所述上阵列垂直晶体管个别包括上阵列顶部源极/漏极区、上阵列底部源极/漏极区、垂直地位于所述上阵列顶部与底部源极/漏极区之间的上阵列沟道区,及可操作地横向邻近所述上阵列沟道区的上阵列栅极;绝缘材料,其垂直地位于所述下与上阵列之间且将它们相对于彼此间隔;及所述下阵列沟道区和所述上阵列沟道区个别具有0.005到小于1原子百分比的元素形式H的平均浓度。9.根据权利要求8所述的集成电路,其包括:下阵列栅极绝缘体,其在所述下阵列沟道区与所述下阵列栅极横向之间;所述下阵列包括电容器,所述电容器个别包括在一对下阵列电容器电极之间的下阵列电容器绝缘体;及(a)和(b)中的至少一者,其中:(a):所述下阵列垂直晶体管中的至少一者,其具有包括金属氧化物的其下阵列栅极绝缘体,其中所述金属是Pb、Zr、Hf、Ru和Ti中的一或多者;和(b):所述下阵列电容器中的至少一者,其具有包括所述金属氧化物的其下阵列电容器绝缘体。10.根据权利要求9所述的集成电路,其包括(a)。11.根据权利要求9所述的集成电路,其包括(b)。12.根据权利要求9所述的集成电路,其包括(a)和(b)。13.根据权利要求9所述的集成电路,其包括:
上阵列栅极绝缘体,其在所述上阵列沟道区与所述上阵列栅极横向之间;所述上阵列包括电容器,所述电容器个别包括在一对上阵列电容器电极之间的上阵列电容器绝缘体;及(c)和(d)中的至少一者,其中:(c):所述上阵列垂直晶体管中的至少一者具有包括所述金属氧化物的其上阵列栅极绝缘体;及(d):所述上阵列电容器中的至少一者具有包括所述金属氧化物的其上阵列电容器绝缘体。14.根据权利要求9所述的集成电路,其包括(c)。15.根据权利要求9所述的集成电路,其包括(d)。16.根据权利要求9所述的集成电路,其包括(c)和(d)。17.根据权利要求8所述的集成电路,其中所述下阵列沟道区包括金属氧化物,其中所述金属是In、Ga和Zn中的一或多者。18.根据权利要求17所述的集成电路,其中所述下阵列沟道区基本上由所述金属氧化物组成。19.根据权利要求17所述的集成电路,其中所述上阵列沟道区包括所述金属氧化物。20.根据权利要求19所述的集成电路,其中所述上阵列沟道区基本上由所述金属氧化物组成。21.根据权利要求8所述的集成电路,其中所述下阵列包括...
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