LED器件的制备方法、LED器件及显示装置制造方法及图纸

本公开提供了一种LED器件的制备方法、LED器件及显示装置。所述LED器件的制备方法包括：在所述LED器件的衬底上设置发光区和非发光区，所述发光区为一完整台面，所述非发光区包括第一半导体层；在所述发光区的远离所述衬底的一侧按照预设图案设置透明导电层，以定义多个发光单元；所述多个发光单元均包括透明导电层；在所述透明导电层和所述第一半导体层的远离所述衬底的一侧设置电极层。根据本公开的技术方案，通过图形化的透明导电层定义像素位置，一方面有效避免了刻蚀对Mesa侧壁造成的损伤，改善了器件性能；另一方面使得Micro

【技术实现步骤摘要】
LED器件的制备方法、LED器件及显示装置


[0001]本公开涉及LED的
，具体而言，涉及一种LED器件的制备方法、LED器件及显示装置。

技术介绍

[0002]微型发光二极管(Micro Light
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Emitting Diode，以下简称为Micro
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LED)具有自发光显示特性，其为全固态发光二极管，寿命长、亮度高、功耗低、体积较小、具有超高分辨率，可应用于高温或辐射等极端环境。相较于同为自发光显示的OLED技术，Micro
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LED不仅效率较高、寿命较长，材料不易受到环境影响而相对稳定，而且还能避免产生残影现象等。
[0003]Micro
‑
LED显示技术是将传统的LED结构进行微缩化和阵列化，并采用CMOS集成电路工艺制作驱动电路，来实现对每一个像素点的定址控制和单独驱动的显示技术。由于Micro
‑
LED的亮度、对比度、寿命、响应时间、可视角度和分辨率等各种指标都强于LCD和OLED显示技术，许多厂家将其视为下一代显示技术而开始积极布局。
[0004]Micro
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LED随着尺寸的不断变小，其像素密度(PPI)不断提高，传统Micro
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LED工艺通过刻蚀Mesa结构定义每个像素的发光区域，刻蚀的Mesa侧壁会存在一定的缺陷，容易形成漏电通道增大漏电流，降低器件性能，刻蚀Mesa的沟道也让像素点之间的距离增大，很难达到更高的像素密度。

技术实现思路
<br/>[0005]为了至少解决
技术介绍
中提到的技术问题之一，本公开的方案提供了一种LED器件的制备方法、LED器件及显示装置。
[0006]根据本公开的一个方面，提供了一种LED器件的制备方法，其中，所述方法包括：在所述LED器件的衬底上设置发光区和非发光区，所述发光区为一完整台面，所述非发光区包括第一半导体层；在所述发光区的远离所述衬底的一侧按照预设图案设置透明导电层，以定义多个发光单元；所述多个发光单元均包括透明导电层；在所述透明导电层和所述第一半导体层的远离所述衬底的一侧设置电极层。所述LED器件优选为Micro
‑
LED器件。本公开的技术方案，通过图形化的透明导电层定义像素位置，从而避免刻蚀造成的Mesa(台面)侧壁缺陷对器件性能造成影响。
[0007]可选地，所述透明导电层包括镍/金双层金属层或氧化铟锡层。
[0008]可选地，在所述发光区的远离所述衬底的一侧按照预设图案设置透明导电层之前，所述方法还包括：按照所述预设图案对所述发光区的第二半导体层的掺杂浓度进行调整，以获得多个高掺杂浓度子区域，其中，所述多个高掺杂浓度子区域与所述多个发光单元的透明导电层一一对应。本公开的技术方案，通过提高发光单元的第二半导体层的掺杂浓度，降低发光单元的第二半导体层的电阻，从而更有利于电流传输，有效降低发光单元之间的串扰。
[0009]可选地，按照所述预设图案对所述发光区的第二半导体层的掺杂浓度进行调整包
括：按照所述预设图案对所述发光区的第二半导体层进行激光退火，以对所述发光区的第二半导体层的掺杂浓度进行调整，获得多个所述高掺杂浓度子区域。本公开的技术方案，通过激光退火激活发光单元的第二半导体层的受主杂质，从而增大发光单元的第二半导体层的掺杂浓度。
[0010]可选地，按照所述预设图案对所述发光区的第二半导体层的掺杂浓度进行调整包括：按照预设图案对所述发光区的第二半导体层进行离子注入，以对所述发光区的第二半导体层的掺杂浓度进行调整，获得多个所述高掺杂浓度子区域。
[0011]可选地，按照所述预设图案对所述发光区的第二半导体层进行离子注入包括：按照所述预设图案向所述发光区的第二半导体层注入受主杂质。本公开的技术方案，通过对发光单元的第二半导体层注入受主杂质，进一步提高发光单元的第二半导体层的掺杂浓度，从而降低发光单元的第二半导体层的电阻。
[0012]可选地，按照所述预设图案对所述发光区的第二半导体层的掺杂浓度进行调整还包括：在所述离子注入之后进行快速退火。快速退火有利于修复损伤的晶格，进一步改善器件性能。
[0013]可选地，所述快速退火包括：在600
‑
1000℃温度下退火1
‑
30min。
[0014]可选地，在所述发光区的远离所述衬底的一侧按照预设图案设置透明导电层包括：在所述高掺杂浓度子区域的远离所述衬底的一侧设置所述透明导电层。
[0015]可选地，在所述发光区的远离所述衬底的一侧按照预设图案设置透明导电层之后，所述方法还包括：以所述透明导电层为掩膜，对所述发光区的第二半导体层进行离子注入，以提高所述透明导电层之间的第二半导体层的电阻。
[0016]可选地，在所述透明导电层和所述第一半导体层的远离所述衬底的一侧设置电极层之后，所述方法还包括：以所述透明导电层或所述电极层为掩膜，对所述发光区的第二半导体层进行离子注入，以提高所述透明导电层或所述电极层之间的第二半导体层的电阻。本公开的技术方案，通过离子注入增大发光单元之间的第二半导体层的电阻，从而进一步改善电流传输，有效降低发光单元之间的串扰。
[0017]可选地，所述对所述发光区的第二半导体层进行离子注入包括：对所述发光单元之间的第二半导体层注入He、C、N、O、F中的任意一种或多种。
[0018]可选地，在所述透明导电层和所述第一半导体层的远离所述衬底的一侧设置电极层之后，所述方法还包括：在所述电极层的远离所述衬底的一侧设置钝化层。钝化层的设置，一方面可以保护电极层，另一方面可以保护发光区侧面，且可以有效避免第一电极与发光区侧面电连接，造成短路。
[0019]可选地，在所述电极层的远离所述衬底的一侧设置钝化层之后，所述方法还包括：在所述钝化层上设置电极接触孔，露出部分电极层。本公开的技术方案，在钝化层上设置电极接触孔，以便后续在电极接触孔中设置键合层，保证键合层与电极层的有效连接，且有助于减小键合层与电极层的接触面积。
[0020]可选地，在所述钝化层上设置电极接触孔，露出部分电极层之后，所述方法还包括：在所述电极接触孔内设置键合层，以使所述键合层与所述电极层电连接。所述键合层包括焊料。本公开的技术方案，在电极接触孔内设置焊料，从而在回流过程中，可有效避免焊料外溢，且可避免焊料对电极层的大面积渗透，尤其对于公共第一电极，在第一电极上的钝
化层选择性地开设电极接触孔，限定了焊料与第一电极的接触面积，有效避免因焊料渗透至电极层而影响器件性能。
[0021]可选地，在所述电极接触孔内设置键合层之后，所述方法还包括：将所述电极层与电路基板通过所述键合层进行键合，并剥离所述衬底。
[0022]根据本公开实施例的另一方面，还提供了一种LED器件。所述LED器件包括发光区和非发光区，所述发光区包括多个LED芯片，多个所述LED芯片通过半导体层相互连接。其中，所述LED芯片优选Micro...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED器件的制备方法，其中，所述方法包括：在所述LED器件的衬底上设置发光区和非发光区，其中，所述发光区为一完整台面，所述非发光区包括第一半导体层；在所述发光区的远离所述衬底的一侧按照预设图案设置透明导电层，以定义多个发光单元；所述多个发光单元均包括透明导电层；在所述透明导电层和所述第一半导体层的远离所述衬底的一侧设置电极层。2.根据权利要求1所述的LED器件的制备方法，其中，在所述发光区的远离所述衬底的一侧按照预设图案设置透明导电层之前，所述方法还包括：按照所述预设图案对所述发光区的第二半导体层的掺杂浓度进行调整，以获得多个高掺杂浓度子区域，其中，所述多个高掺杂浓度子区域与所述多个发光单元的透明导电层一一对应。3.根据权利要求2所述的LED器件的制备方法，其中，按照所述预设图案对所述发光区的第二半导体层的掺杂浓度进行调整包括：按照所述预设图案对所述发光区的第二半导体层进行激光退火，以对所述发光区的第二半导体层的掺杂浓度进行调整，获得多个所述高掺杂浓度子区域。4.根据权利要求2所述的LED器件的制备方法，其中，按照所述预设图案对所述发光区的第二半导体层的掺杂浓度进行调整包括：按照所述预设图案对所述发光区的第二半导体层进行离子注入，以对所述发光区的第二半导体层的掺杂浓度进行调整，获得多个所述高掺杂浓度子区域。5.根据权利要求4所述的LED器件的制备方法，其中，按照所述预设图案对所述发光区的第二半导体层进行离子注入包括：按照所述预设图案向所述发光区的第二半导体层注入受主杂质。6.根据权利要求4所述的LED器件的制备方法，其中，按照所述预设图案对所述发光区的第二半导体层的掺杂浓度进行调整还包括：在所述离子注入之后进行快速退火。7.根据权利要求6所述的LED器件的制备方法，其中，所述快速退火包括：在600
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1000℃温度下退火1
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30min。8.根据权利要求2至7中任一项所述的LED器件的制备方法，其中，在所述发光区的远离所述衬底的一侧按照预设图案设置透明导电层包括：在所述高掺杂浓度子区域的远离所述衬底的一侧设置所述透明导电层。9.根据权利要求1所述的LED器件的制备方法，其中，在所述透明导电层和所述第一半导体层的远离所述衬底的一侧设置电极层之后，所述方法还包括：以所述透明导电层或所述电极层为掩膜，对所述发光区的第二半导体层进行离子注入，以提高所述透明导电层或所述电极层之...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨杭，张珂，
申请(专利权)人：深圳市思坦科技有限公司，
类型：发明
国别省市：