本发明专利技术涉及光源封装技术领域，具体是一种特殊应用超高密度纳米级导热全色域NK瓦级COB光源封装技术，具体包括六大步骤。本发明专利技术工艺精良，效果突出，发光芯片采用呈圆形均匀分布于基板的发光面，使每颗发光芯片出光效果一致，大大提高了功率，有效的解决传统发光芯片分布稀疏容易出现暗点光斑的问题，将整条线路分成了4路，且都配备单独的驱动电源，每路独立工作，互补影响，即降低了对驱动的要求，也降低了成本，同时四个250W驱动相比较一个1000W驱动，性能更加稳定可靠，使用寿命更长，基板的结构极大的减少了芯片与基板的热阻，使材料整体导热系数高达50w/m.k，氮化铝的陶瓷绝缘体性能，又极大提高了材料的抗高压能力，大大提高了安全性能。了安全性能。了安全性能。
【技术实现步骤摘要】
一种特殊应用超高密度纳米级导热全色域NK瓦级COB光源封装技术
[0001]本专利技术涉及光源封装
，具体是一种特殊应用超高密度纳米级导热全色域NK瓦级COB光源封装技术。
技术介绍
[0002]光源封装是将多颗LED芯片集成封装在同一基板上的发光体。
[0003]目前市场现有产品，采用普通铝基板、镀银铜基板或者镜面铝基板，功率密度较低，在外形65cm*85cm上，不能做到足功率1500W，主要都在500W以内，功率密度过低，不能满足市场对亮度的需求，光效低，在70lm/w左右；且光源发光面因为芯片排列不规则，易出现暗斑及阴影区，传统1路或者2路驱动，在低功率时，部分芯片未能点亮，出现非常大的暗区区域，驱动电源功率过大，对电源要求高，显色指数低，Ra在95左右，不能满足照明场景对高显色指数的需求的要求。
[0004]因此，本领域技术人员提供了一种特殊应用超高密度纳米级导热全色域NK瓦级COB光源封装技术，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
技术实现思路
[0005]本专利技术的目的在于提供一种特殊应用超高密度纳米级导热全色域NK瓦级COB光源封装技术，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0006]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种特殊应用超高密度纳米级导热全色域NK瓦级COB光源封装技术，其特征在于，包括如下具体步骤：
[0007]S1：在基板的底部安装散热器；
[0008]S2：按照0.15
‑
0.20mm的间距将发光芯片呈圆形均匀分布于基板的发光面，并通过固晶胶进行固晶，保证发光芯片排列均匀，点亮无暗区；
[0009]S3：采用焊线机将发光芯片与基板之间通过金线电气连接形成回路。
[0010]S4：在基板的正上方围上一层硅胶，形成闭环围坝；
[0011]S5：将荧光胶点在基板上，对发光芯片进行覆盖，确保无漏蓝光；
[0012]S6：在荧光胶面上覆盖一层蓝宝石玻璃片完成封装。
[0013]作为本专利技术更进一步的方案：S1中散热器的散热片均为错位排列的紫铜麒麟片，且散热片的表面涂覆有纳米级的石墨烯复合材料，能快速的将散热片内的热量，聚集于表面的复合材料上，错位排列的紫铜麒麟片，再通过散热器表面的风扇，保证每一片紫铜麒麟片的表面都有风吹过，最大程度将热量散到空气中，从而高效快速的降低了散热器的温度，进而大大降低了发光温度，增加发光芯片的使用寿命。
[0014]作为本专利技术更进一步的方案：所述基板采用正装基板或倒装基板：
[0015]正装基板：选择陶瓷氮化铝薄片，在陶瓷氮化铝薄片的两面上生长铜箔线路层，一面蚀刻线路，另一面通过金锡共晶粘合红铜底板，最后在蚀刻线路的一面涂覆纳米涂层的
铝镜面；
[0016]倒装基板：选择陶瓷氮化铝薄片，在陶瓷氮化铝薄片的两面上生长铜箔线路层，一面蚀刻线路，另一面通过金锡共晶粘合紫铜底板，最后在蚀刻线路的一面铜箔上涂覆纳增白剂油墨。
[0017]作为本专利技术更进一步的方案：S3中回路均分四路，每路的发光芯片数量相同，均匀分布在基板的发光区内，每一路采用单独的250W驱动电源，四个驱动单独工作，互不影响，相比一个单独的1000W电源，明显降低了对驱动的要求，也降低了成本，四个250W驱动相比较一个1000W驱动，性能更加稳定可靠，使用寿命更长。
[0018]作为本专利技术更进一步的方案：所述荧光胶由纳米荧光粉、增白扩散剂、K瓦级专用胶混合而成，三者的比例为3：1：2，且S5中的荧光胶采用半沉淀工艺封装。
[0019]作为本专利技术更进一步的方案：增白扩散剂由光扩散剂、荧光增白剂、树脂造粒研磨而成，其中光扩散剂、荧光增白剂、树脂的比例为1：1：3。
[0020]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术工艺精良，效果突出，发光芯片采用呈圆形均匀分布于基板的发光面，使每颗发光芯片出光效果一致，大大提高了功率，有效的解决传统发光芯片分布稀疏容易出现暗点光斑的问题；
[0021]将整条线路分成了4路，且都配备单独的驱动电源，每路独立工作，互补影响，即降低了对驱动的要求，也降低了成本，同时四个250W驱动相比较一个1000W驱动，性能更加稳定可靠，使用寿命更长；
[0022]基板的结构极大的减少了芯片与基板的热阻，使材料整体导热系数高达50w/m.k，氮化铝的陶瓷绝缘体性能，又极大提高了材料的抗高压能力，大大提高了安全性能；
[0023]纳米荧光粉与增白扩散剂可以实现从2200
‑
7500k，进行全光谱发光，R1
‑
R15＞90，Ra>96光效＞150lm/w，配合；
[0024]在表面封装蓝宝石玻璃片，使得胶面温度大大降低，比同行业降低20℃以上，提高了光源抗挤压能力，同时使光色的一致性及出光效果，极大的提高了材料抗老化能力；
[0025]散热器中错位排列的紫铜麒麟片可以最大化提升导热散热效果，确保发光芯片的持续工作。
附图说明
[0026]图1为一种特殊应用超高密度纳米级导热全色域NK瓦级COB光源封装技术中发光芯片于发光面上的分布图；
[0027]图2为传统封装技术中发光芯片于发光面上的分布图；
[0028]图3为一种特殊应用超高密度纳米级导热全色域NK瓦级COB光源封装技术中驱动电路图；
[0029]图4为传统封装技术中驱动电路图；
[0030]图5为一种特殊应用超高密度纳米级导热全色域NK瓦级COB光源封装技术中正装基板的结构示意图；
[0031]图6为一种特殊应用超高密度纳米级导热全色域NK瓦级COB光源封装技术中倒装基板的结构示意图；
[0032]图7为传统封装技术中基板的结构示意图；
[0033]图8为一种特殊应用超高密度纳米级导热全色域NK瓦级COB光源封装技术的反射温度图；
[0034]图9为传统封装技术的反射温度图；
[0035]图10为一种特殊应用超高密度纳米级导热全色域NK瓦级COB光源封装技术的光源光谱图；
[0036]图11为传统封装技术光源的光谱图。
具体实施方式
[0037]实施例1
[0038]请参阅图1～4，本专利技术实施例中，一种特殊应用超高密度纳米级导热全色域NK瓦级COB光源封装技术，包括如下具体步骤：
[0039]S1：在基板的底部安装散热器；
[0040]S2：按照0.15
‑
0.20mm的间距将发光芯片呈圆形均匀分布于基板的发光面，并通过固晶胶进行固晶，保证发光芯片排列均匀，点亮无暗区；
[0041]S3：采用焊线机将发光芯片与基板之间通过金线电气连接形成回路。
[0042]S4：在基板的正上方围上一层硅胶，形成闭环围坝；
[0043]S5：将荧光胶点在基板上，对发光芯片进行覆盖，确保无漏蓝光；
[0044]S6：在荧光胶面上覆盖一层蓝宝石玻璃片完成封本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种特殊应用超高密度纳米级导热全色域NK瓦级COB光源封装技术，其特征在于，包括如下具体步骤：S1：在基板的底部安装散热器；S2：按照0.15
‑
0.20mm的间距将发光芯片呈圆形均匀分布于基板的发光面，并通过固晶胶进行固晶，保证发光芯片排列均匀，点亮无暗区；S3：采用焊线机将发光芯片与基板之间通过金线电气连接形成回路。S4：在基板的正上方围上一层硅胶，形成闭环围坝；S5：将荧光胶点在基板上，对发光芯片进行覆盖，确保无漏蓝光；S6：在荧光胶面上覆盖一层蓝宝石玻璃片完成封装。2.根据权利要求1所述的一种特殊应用超高密度纳米级导热全色域NK瓦级COB光源封装技术，其特征在于，S1中散热器的散热片均为错位排列的紫铜麒麟片，且散热片的表面涂覆有纳米级的石墨烯复合材料，能快速的将散热片内的热量，聚集于表面的复合材料上，错位排列的紫铜麒麟片，再通过散热器表面的风扇，保证每一片紫铜麒麟片的表面都有风吹过，最大程度将热量散到空气中。3.根据权利要求1所述的一种特殊应用超高密度纳米级导热全色域NK瓦级COB光源封装技术，其特征在于，所述基板采用正...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭勃，
申请(专利权)人：广东索亮智慧科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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