芯片转移装置以及芯片转移方法制造方法及图纸

本申请提供一种芯片转移装置以及芯片转移方法，该芯片转移装置包括依次层叠设置的基板、磁性件以及牺牲件，其中：磁性件能够对LED芯片产生吸力，以使LED芯片吸附于牺牲件上，牺牲件能够产生气体并使气体冲击LED芯片，以使LED芯片从牺牲件上脱落。该芯片转移装置能够有效地提高LED芯片的转移良率。有效地提高LED芯片的转移良率。有效地提高LED芯片的转移良率。

【技术实现步骤摘要】
芯片转移装置以及芯片转移方法


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种芯片转移装置以及芯片转移方法。

技术介绍

[0002]现有技术中，在制作发光二极管(LightEmittingDiode，LED)显示面板时，需要通过转移的方式将发光颜色不同的LED芯片以特定的排列方式转移至承载基板上，从而形成像素阵列。对于发光二极管的转移，激光烧蚀方法具有明显的优势：转移速度快、灵活性高、可快速调整以适用不同尺寸的器件。
[0003]上述激光烧蚀方法的使用过程中，一般需要使用激光解黏胶，但是激光解黏胶的用量不好控制。当激光解黏胶偏厚时，会导致芯片陷到胶中，存在无法脱落分离的情况；当激光解黏胶偏薄时，贴合工艺复杂、难度高、且存在黏附性不足等情况。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种芯片转移装置以及芯片转移方法，有效地提高LED芯片的转移良率。
[0005]本申请实施例提供一种芯片转移装置，包括依次层叠设置的基板、磁性件以及牺牲件，其中：
[0006]所述磁性件能够对LED芯片产生吸力，以使所述LED芯片吸附于所述牺牲件上，所述牺牲件能够产生气体并使所述气体冲击所述LED芯片，以使所述LED芯片从所述牺牲件上脱落。
[0007]在一些实施例中，所述牺牲件为富氢膜，所述富氢膜能够在第一激光的作用下产生氢气。
[0008]在一些实施例中，所述富氢膜的厚度大于10nm且小于50nm。
[0009]在一些实施例中，所述富氢膜的氢元素的含量大于5％且小于20％。
[0010]在一些实施例中，所述磁性件的厚度小于10μm。
[0011]本申请实施例还提供一种芯片转移方法，应用于上述的芯片转移装置，所述芯片转移方法包括：
[0012]控制所述磁性件对LED芯片产生吸力，以使所述LED芯片吸附于所述牺牲件上；
[0013]控制所述牺牲件产生气体，并使所述气体冲击所述芯片，以使所述芯片从所述牺牲件上脱落。
[0014]在一些实施例中，所述牺牲件为富氢膜，所述富氢膜能够产生氢气，所述控制所述牺牲件产生气体，所述芯片转移方法包括：使用第一激光照射所述牺牲件，以使得所述牺牲件产生氢气。
[0015]在一些实施例中，所述控制所述磁性件对LED芯片产生吸力之前，还包括：
[0016]提供施主基板，所述施主基板上设置有LED芯片；
[0017]使用第二激光照射所述施主基板，以使得所述LED芯片脱落于所述施主基板。
[0018]在一些实施例中，所述第二激光的波长为308nm。
[0019]在一些实施例中，所述控制所述牺牲件产生气体，并使所述气体冲击所述芯片，以使所述芯片从所述牺牲件上脱落之后，还包括，提供接收基板，以承载脱落的所述LED芯片。
[0020]本申请实施例提供的芯片转移装置包括基板、磁性件以及牺牲件，该基板、磁性件以及牺牲件依次层叠设置，当需要转移该LED芯片时，该磁性件吸附LED芯片，使得LED芯片能够暂时吸附在牺牲件上，然后该牺牲件产生气体，以冲击该LED芯片，以使LED芯片从牺牲件上脱落，从而完成该LED芯片的转移。可以理解的是，该芯片转移装置没有使用激光解黏胶，所以自然不存在LED芯片转移过程中激光解黏胶无法精准控制芯片的脱落等缺陷，即通过磁性件与牺牲件代替激光解黏胶，有效地提高LED芯片的转移良率。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0022]图1为本申请实施例提供的芯片转移装置的结构示意图。
[0023]图2为本申请实施例提供的芯片转移方法的流程示意图。
[0024]图3为本申请实施例提供的芯片转移方法对应的第一种结构示意图。
[0025]图4为本申请实施例提供的芯片转移方法对应的第二种结构示意图。
具体实施方式
[0026]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0027]本申请实施例提供一种芯片转移装置以及芯片转移方法，有效地提高LED芯片的转移良率。以下结合附图进行具体的说明。
[0028]请参阅图1，图1为本申请实施例提供的芯片转移装置的结构示意图。
[0029]该芯片转移装置100包括层叠设置的基板110、磁性件120以及牺牲件130。磁性件能够对LED芯片产生吸力，以使LED芯片吸附于牺牲件上，牺牲件能够产生气体并使气体冲击LED芯片，以使LED芯片从牺牲件上脱落。
[0030]其中，该磁性件120能够产生吸附LED芯片200的磁力，其中磁性件120正投影的面积与多个LED芯片200的面积相当，该磁性件120能够吸附多个LED芯片200。该磁性件120具有磁性，例如该磁性件120为成分是铁、钴、镍或者铁镍合金的磁铁。该磁性件120的厚度小于10μm，该磁性件120可以通过溅射、沉积或者胶黏等方式覆盖于基板110上。
[0031]更为具体的是，本申请提供的LED芯片200可以是普通LED(Light
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Emitting Diode，发光二极管)芯片、microLED(microLight
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Emitting Diode，微型LED)芯片或miniLED(mini Light
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Emitting Diode，次毫米发光二极管)芯片。其中，LED芯片200是一种常用的发光器件，通过电子与空穴复合释放能量发光，LED芯片200在照明领域应用广泛。
micro LED芯片200是指以自发光的微米量级的LED为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成高密度LED阵列。由于micro LED芯片200尺寸小、集成度高和自发光等特点，在显示方面与LCD芯片相比在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势。该miniLED芯片200是指芯片尺寸介于50～200μm之间的LED芯片200。miniLED芯片200已开始应用于超大屏高清显示，如监控指挥、高清演播、高端影院、医疗诊断、广告显示、会议会展、办公显示、虚拟现实等商用领域。其中，本申请提供的LED芯片200可以是垂直型结构，也可以是横向型结构。该垂直型结构的LED芯片200是指阳极和阴极分别位于LED芯片200的两侧，该横向型结构的LED芯片200是指阳极和阴极位于LED芯片200的同一侧。
[0032]该LED芯片200包括芯片主体以及设置与芯片主体上的金属。其中，该金属被配置为能够被芯片转移装置100吸附的金属。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片转移装置，其特征在于，包括依次层叠设置的基板、磁性件以及牺牲件，其中：所述磁性件能够对LED芯片产生吸力，以使所述LED芯片吸附于所述牺牲件上，所述牺牲件能够产生气体并使所述气体冲击所述LED芯片，以使所述LED芯片从所述牺牲件上脱落。2.根据权利要求1所述的芯片转移装置，其特征在于，所述牺牲件为富氢膜，所述富氢膜能够在第一激光的作用下产生氢气。3.根据权利要求2所述的芯片转移装置，其特征在于，所述富氢膜的厚度大于10nm且小于50nm。4.根据权利要求2所述的芯片转移装置，其特征在于，所述富氢膜的氢元素的含量大于5％且小于20％。5.根据权利要求1所述的芯片转移装置，其特征在于，所述磁性件的厚度小于10μm。6.一种芯片转移方法，其特征在于，应用于权利要求1至5任一项所述的芯片转移装置，所述芯片转移方法包括：控制所述磁性件对LED芯片产生吸力，以使所述LED芯片吸附于所述牺牲件上；控...

【专利技术属性】
技术研发人员：李林霜，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：