【技术实现步骤摘要】
一种砷化镓基LED的管芯结构的制作方法
[0001]本专利技术涉及一种砷化镓基LED的管芯结构的制作方法,属于半导体加工
技术介绍
[0002]LED(Light Emitting Diode),发光二极管,和普通二极管一样,均是由P-N节组成,它能够将电能转换为光能,从而进行发光。LED被称为第四代照明光源或绿色光源,具有节能、环保、寿命长、体积小等特点,广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明和城市夜景等领域。根据使用功能的不同,可以将其划分为信息显示、信号灯、车用灯具、液晶屏背光源、通用照明五大类。
[0003]砷化镓基LED管芯结构的制作通常按照如下工艺进行,衬底表面生长外延结构,外延层上生长电流扩展层,电流扩展层上制作P电极,对衬底进行减薄处理,衬底背面生长N面电极结构,通过在发光区涂覆切割保护液,将整个晶片切割成单个管芯,整个制作过程完成。
[0004]LED金属电极的制作,最常用的工艺方法主要有两种。一种是湿法腐蚀制作出金属电极图形,该方法首先在晶片表面制作出整个构成电极的金属 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种砷化镓基LED的管芯结构的制作方法,其特征在于,包括:(1)LED管芯前期制作:在砷化镓衬底上依次生长外延层、电流扩展层,并将衬底的背面进行减薄;(2)N面金属电极制作:通过蒸镀或者溅射的方法在衬底的背面制作N面金属电极;(3)P面金属膜层制作:使用负性光刻胶在步骤(2)制备的LED晶片正面制作出电极掩膜图形;再通过蒸镀或者溅射的方法,在电极掩膜图形表面制作整面P面金属膜层,且不进行剥离操作;(4)管芯切割:将粘性膜贴附LED晶片背面上,从LED晶片正面进行切割,将LED晶片切割成单个管芯;(5)P面金属电极图形制作:将粘性膜贴附在LED晶片正面,第一次将粘性膜撕掉,从而剥离掉P面金属膜层表面的切割碎屑;再将粘性膜贴附在LED晶片正面,第二次将粘性膜撕掉,从而剥离掉LED晶片正面除P面金属电极图形区域外其它金属,得到完整的P面金属电极图形;(6)去胶清洗:使用去胶液清洗LED晶片正面残留的光刻胶,再将LED晶片放入清洗机中清洗。2.根据权利要求1所述的一种砷化镓基LED的管芯结构的制作方法,其特征在于,步骤(5)中,第一次撕掉粘贴膜的力度小于第二次撕掉粘贴膜的力度,且第二次撕掉粘贴膜的力度小于将粘性膜从LED晶片背面撕掉的力度。3.根据权利要求1所述的一种砷化镓基LED的管芯结构的制作方法,其特征在于,步骤(4)和步骤(5)中使用的粘性膜为蓝膜或者白膜;进一步优选的,蓝膜的型号为S...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐晓强,程昌辉,吴向龙,闫宝华,徐现刚,
申请(专利权)人:山东浪潮华光光电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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