一种偏光膜延伸处理装置、工艺及偏光片制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种偏光膜延伸处理装置、工艺及偏光片，所述装置包括膨润槽、染色槽、交联槽、延伸槽、调整槽、洗涤槽、干燥单元以及偏光膜表面药剂去除机构；所述工艺包括将PVA基膜依次经过膨润、染色、交联、延伸、调整、洗涤、干燥工序处理后得到PVA偏光膜，所述洗涤工序中应用的洗涤液为纯水；通过将洗涤工序替换掉传统的补色工序，能够有效去除偏光膜表面的硼酸附着，避免干燥后硼酸结晶导致的缺陷异常，提高偏光膜贴合前的表面洁净度，降低点状缺陷发生率，提升产品良率，同时降低化学品使用量，提升偏光膜表面亲水基团数量，制造出物理性能更优异的偏光片。优异的偏光片。优异的偏光片。

【技术实现步骤摘要】
一种偏光膜延伸处理装置、工艺及偏光片


[0001]本专利技术属于偏光片
，具体涉及一种偏光膜延伸处理装置、工艺及偏光片。

技术介绍

[0002]在传统偏光片用偏光膜的中主流处理工艺包含：膨润、染色、交联、延伸、调整、补色。膨润槽一般用纯水对PVA(聚乙烯醇)膜进行膨润处理，析出PVA原膜中的甘油，吸水膨胀，增加PVA的幅宽。染色槽采用碘系(碘和碘化钾水溶液)进行染色，促使PVA膜吸附具有二向色性的碘，为延伸后的PVA提供光学特性的基础。交联槽采用碘化钾、硼酸水溶液，通过硼酸的键接效果，提高PVA延伸前的拉伸强度。延伸是赋予PVA膜在高拉伸倍率下具有高度排列取向的过程，经延伸后的PVA膜偏光度可达99.990％以上。调整和补色则是对延伸后的PVA膜进行色相调整补充。各槽体使用到的药液主要以碘化钾、硼酸水溶液为主，药液使用时间越长，洁净度越差，从而恶化PVA膜贴合前的点缺水准，影响产品品质。总的来看，提高药液洁净度的方式通常来说有两种，一种采用药液稀释的方式，即不断投入洁净度高的新药液来稀释旧药液，以此来提高药液槽整体的洁净度。另一种，利用活性炭物理和化学吸附的能力达到过滤药液洁净度的方式，参考专利CN201820779170.8，该方式只需定期更换活性炭，无需配置新药液，可降低生产成本，提高生产效率。无论采用稀释或活性炭过滤的方式，补色槽中碘化钾、硼酸的存在，致使处理后的PVA膜表面经烘箱干燥后易残留化学结晶，在滚轮的挤压作用下从而产生缺陷。

技术实现思路

[0003]本专利技术所要解决的技术问题是提供一种偏光膜延伸处理装置、工艺及偏光片，用洗涤槽替换掉传统的补色槽，有效去除偏光膜表面的硼酸附着，避免干燥后硼酸结晶导致的缺陷异常，提高偏光膜贴合前的表面洁净度，降低点状缺陷发生率，提升产品良率，同时降低化学品使用量，提升偏光膜表面亲水基团数量，制造出物理性能更优异的偏光片。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提供了一种偏光膜延伸处理装置，包括膨润槽、染色槽、交联槽、延伸槽、调整槽、洗涤槽及干燥单元，还包括偏光膜表面药剂去除机构，所述偏光膜表面药剂去除机构包括设置在调整槽上方的第一药剂去除机构和设置在洗涤槽上方的第二药剂去除机构，所述第一药剂去除机构包括第一刮刀，所述第二药剂去除机构包括第二刮刀。
[0005]进一步具体的，所述第一刮刀与所述偏光膜的表面形成夹角R＝0.1～0.5；所述第二刮刀与所述偏光膜的表面形成夹角R＝0.1～0.5。
[0006]为实现上述目的，本专利技术还提供了一种偏光膜延伸处理工艺，将PVA基膜依次经过膨润、染色、交联、延伸、调整、洗涤、干燥工序处理后得到PVA偏光膜，所述洗涤工序中应用的洗涤液为纯水。
[0007]进一步具体的，所述洗涤工序中洗涤时间为0.5～5秒。
[0008]进一步具体的，所述染色工序中的染色液包括0.01～0.1％碘和碘化钾的水溶液。
[0009]进一步具体的，所述延伸工序中的药剂包括碘化钾和硼酸的水溶液，所述碘化钾浓度1～3％，硼酸浓度2～4％。
[0010]进一步具体的，所述调整工序中的药剂包括碘化钾和硼酸的水溶液，所述碘化钾浓度3～6％，硼酸浓度4～6％。
[0011]进一步具体的，经过所述洗涤工序后，所述洗涤液中的硼酸浓度控制在2％以下。
[0012]进一步具体的，经过所述洗涤工序后，所述洗涤液中的硼酸浓度控制在1％以下。
[0013]为实现上述目的，本专利技术还提供了一种偏光片，包括TAC膜、粘合剂以及通过所述粘合剂与所述TAC膜贴合的PVA偏光膜，所述PVA偏光膜采用上述偏光膜延伸处理工艺处理得到。
[0014]本专利技术的有益效果为：
[0015](1)本专利技术提供了一种偏光膜延伸处理装置，将洗涤槽替换掉传统的补色槽，且在调整槽和洗涤槽的上方分别设置有第一药剂去除机构和第二药剂去除机构，有效去除调整和洗涤工序后PVA膜表面残留的药剂，防止药剂结晶造成点状缺陷，提高产品品质；
[0016](2)本专利技术还提供了一种偏光膜延伸处理工艺，通过将洗涤工序替代补色工序，并以纯水作洗涤液，有效去除偏光膜表面的硼酸附着，避免干燥后硼酸结晶导致的缺陷异常，提高偏光膜的表面洁净度，降低点状缺陷和线面缺的发生率，提升产品良率；并且能够降低传统补色工序中化学品使用量，节约生产成本；此外，洗涤工序能够有效增加偏光膜表面亲水基团数量，提高偏光片中偏光膜与粘结剂之间的键接力，使得偏光片的耐候性等物理性能更加优异。
附图说明
[0017]图1是本专利技术的偏光膜的延伸处理工艺的流程图；
[0018]图2是本专利技术的对比例中偏光膜的线面缺形成原理图；
[0019]图3是本专利技术的PVA偏光膜与粘合剂的反应原理图。
[0020]图中标记的含义：A
‑
PVA放卷；B
‑
膨润槽；C
‑
染色槽；D
‑
交联槽；E
‑
延伸槽；F
‑
调整槽；G
‑
洗涤槽；H
‑
烘箱；a
‑
入膨润压辊；b
‑
出膨润压辊；c
‑
出染色槽压辊；d
‑
出交联槽压辊；e
‑
出延伸槽压辊；f
‑
出调整槽压辊；g
‑
出洗涤槽压辊。
具体实施方式
[0021]下面结合附图对本专利技术作详细的描述。
[0022]如图1所示，一种偏光膜延伸处理装置，包括膨润槽B、染色槽C、交联槽D、延伸槽E、调整槽F、洗涤槽G及干燥单元，所述干燥单元为烘箱H。此外，还包括偏光膜表面药剂去除机构，所述偏光膜表面药剂去除机构包括设置在调整槽F上方的第一药剂去除机构和设置在洗涤槽G上方的第二药剂去除机构，所述第一药剂去除机构包括第一刮刀，所述第二药剂去除机构包括第二刮刀。所述第一药剂去除机构通过第一刮刀去除出调整槽F后的PVA膜表面残留的药剂，所述第二药剂去除机构通过第二刮刀去除出洗涤槽G后的PVA膜表面残留的药剂；所述第一刮刀相对偏光膜角度与位置可调，当第一刮刀与偏光膜的表面形成夹角R＝0.1～0.5时，具有优异的药剂去除能力；同样的，所述第二刮刀相对偏光膜角度与位置可调，当第二刮刀与偏光膜的表面形成夹角R＝0.1～0.5时，具有优异的药剂去除能力。所述
第一刮刀及第二刮刀的材质可以采用玻璃、不锈钢、陶瓷中的任一种。使用该偏光膜表面药剂去除机构对PVA膜表面的药剂或水分去除能力可达99％以上，可有效去除PVA膜表面多余的药剂，降低膜表面的化学品结晶，防止药剂结晶造成点状缺陷的爆量，提高产品品质。
[0023]本专利技术还提供了一种偏光膜延伸处理工艺，该工艺可以使用上述偏光膜延伸处理装置，将PVA基膜依次经过膨润、染色、交联、延伸、调整、洗涤、干燥工序处理，得到PVA偏光膜。具体步骤如下：
[0024]S1.膨润：将PVA基膜放入膨润槽B中进行膨润处理，膨润本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种偏光膜延伸处理装置，包括膨润槽、染色槽、交联槽、延伸槽、调整槽、洗涤槽及干燥单元，其特征在于，还包括偏光膜表面药剂去除机构，所述偏光膜表面药剂去除机构包括设置在调整槽上方的第一药剂去除机构和设置在洗涤槽上方的第二药剂去除机构，所述第一药剂去除机构包括第一刮刀，所述第二药剂去除机构包括第二刮刀。2.根据权利要求1所述的偏光膜延伸处理装置，其特征在于，所述第一刮刀与所述偏光膜的表面形成夹角R＝0.1～0.5；所述第二刮刀与所述偏光膜的表面形成夹角R＝0.1～0.5。3.一种偏光膜延伸处理工艺，其特征在于，将PVA基膜依次经过膨润、染色、交联、延伸、调整、洗涤、干燥工序处理后得到PVA偏光膜，所述洗涤工序中应用的洗涤液为纯水。4.根据权利要求3所述的偏光膜延伸处理工艺，其特征在于，所述洗涤工序中洗涤时间为0.5～5秒。5.根据权利要求3所述的偏光膜延伸处理工艺，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：金仲，李帅，施明志，张均铭，郭育诚，黄源，
申请(专利权)人：恒美光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：