半导体结构及其制作方法、存储器技术

本发明专利技术提供了一种半导体结构及其制作方法、存储器。其中，所述半导体结构的制作方法包括：在绝缘层中形成多个凹槽；在所述凹槽的侧壁及所述绝缘层的顶面形成介质层；在形成有所述介质层的凹槽中以及形成有所述介质层的所述绝缘层的顶面形成互连层；通过化学机械研磨工艺，去除位于所述绝缘层的顶面上的所述互连层以及位于所述凹槽中的部分所述互连层，其中，所述绝缘层顶面上的所述介质层用于作为所述化学机械研磨工艺的停止层。述化学机械研磨工艺的停止层。述化学机械研磨工艺的停止层。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制作方法、存储器


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构及其制作方法、存储器。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的发展，集成电路芯片的集成度已经高达几亿乃至几十亿个半导体器件的规模。由于不同的需求，集成电路芯片的布线设计变得越来越复杂。为了满足需求，相关技术中，通过多层互连结构实现集成电路中多个半导体器件之间的相互连接。
[0003]然而，随着集成电路的小型化发展，互连结构的关键尺寸在不断缩小，互连结构的可靠性受到了极大的挑战。

技术实现思路

[0004]为解决相关技术问题，本专利技术实施例提出一种半导体结构及其制作方法、存储器。
[0005]本专利技术实施例一方面提供了一种半导体结构的制作方法，包括：在绝缘层中形成多个凹槽；在所述凹槽的侧壁及所述绝缘层的顶面形成介质层；
[0006]在形成有所述介质层的凹槽中以及形成有所述介质层的所述绝缘层的顶面形成互连层；
[0007]通过化学机械研磨(CMP，Chemical Mechanical Polishin本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：在绝缘层中形成多个凹槽；在所述凹槽的侧壁及所述绝缘层的顶面形成介质层；在形成有所述介质层的凹槽中以及形成有所述介质层的所述绝缘层的顶面形成互连层；通过化学机械研磨工艺，去除位于所述绝缘层的顶面上的所述互连层以及位于所述凹槽中的部分所述互连层，其中，所述绝缘层顶面上的所述介质层用于作为所述化学机械研磨工艺的停止层。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：通过所述化学机械研磨工艺，去除位于所述绝缘层顶面上的所述介质层以及位于所述凹槽中的部分所述介质层和部分所述互连层。3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述凹槽的开口尺寸随着所述凹槽深度的增加而减小；位于所述凹槽侧壁的所述介质层的厚度随着所述凹槽深度的增加而减小。4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述凹槽的侧壁及所述绝缘层的顶面形成介质层，包括：在所述凹槽的侧壁、底部及所述绝缘层的顶面上形成介质层；去除所述凹槽底部的所述介质层，得到位于所述凹槽侧壁及所述绝缘层的顶面上的所述介质层。5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：在其侧壁形成有介质层的凹槽中以及在位于所述绝缘层的顶表面上的介质层上形成阻挡层；在所述阻挡层表面形成互连层；所述去除位于所述绝缘层的顶面上的所述互连层，包括：去除位于所述绝缘层的顶面上的所述互连层和位于所述绝缘层的顶面上的所述阻挡层。6....

【专利技术属性】
技术研发人员：邹欣伟，华子群，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：