一种利用固体电解质Rb4Cu制造技术

本发明专利技术涉及铜互连沉积技术领域，特别涉及一种利用固体电解质Rb4Cu

【技术实现步骤摘要】
一种利用固体电解质Rb4Cu
16
I7Cl
13
实现铜互连沉积的直接沉积方法


[0001]本专利技术涉及铜互连沉积
，特别涉及一种利用固体电解质Rb4Cu
16
I7Cl
13
实现铜互连沉积的直接沉积方法。

技术介绍

[0002]铜的电阻率(1.7
×
10
‑6Ω
·
cm)低于铝的电阻率(2.8
×
10
‑6Ω
·
cm)，导热性也比铝好，且具有较强的抗电迁移能力，因此被用作集成电路芯片的互连线。铜互连的制造一般采用电镀铜层技术，主流的方法是采用硫酸铜镀液体系，并添加Cl离子、抑制剂、加速剂和整平剂，集成电路涉及多个器件，不同器件的铜互连需要通过光刻工艺实现。由于镀铜过程使用了酸性硫酸铜，有害性废液的排放难以避免，或者需要建立复杂的净化处理设施。因此，有必要研究环境友好的铜互连技术，离子束沉积就是一种主要的铜互连制备技术，这需要解决低能、高纯的离子束源问题，解决问题的方向是利用铜基离子本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种利用固体电解质Rb4Cu
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I7Cl
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实现铜互连沉积的直接沉积方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：制备固体电解质Rb4Cu
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I7Cl
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：按化学式中各元素的摩尔比称取原料，其中RbCl:CuI:CuCl的摩尔比为4:7:9，将原料研磨均匀并放入球磨罐，抽真空并充以惰性气体氩气或氮气，再以进行机械化学合成；球磨转速为400
‑
600rpm，球磨时间为5
‑
8h，反应结束后得到灰色粉末；步骤2：改善所得固体电解质Rb4Cu
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I7Cl
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结晶性：将灰色粉末放入到退火炉中，抽真空并充以惰性气体下进行退火处理，退火温度为100
‑
200℃，退火时间为45
‑
90min；步骤3：铜互连沉积：将所得晶态固体电解质Rb4Cu
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I7Cl
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镀在发射极的尖端，所述发...

【专利技术属性】
技术研发人员：吐沙姑，
申请(专利权)人：武汉大学深圳研究院，
类型：发明
国别省市：