半导体结构的形成方法技术

一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面具有接触层；在所述衬底上形成介质层，所述介质层内具有接触孔，所述接触孔底部暴露出所述接触层，所述接触孔侧壁暴露出所述介质层；在所述接触孔的底部表面和侧壁表面形成籽晶层；在所述籽晶层表面形成第一填充层，所述第一填充层内具有开口；对所述籽晶层和所述第一填充层进行退火处理；所述退火处理后，在所述开口内形成第二填充层，所述第二填充层和所述第一填充层使所述接触孔被填满，由所述第一填充层和第二填充层形成导电插塞，所述导电插塞具有较低的电阻，相对于一次填充的接触孔形成的导电插塞，可以降低10％至50％的电阻。的电阻。的电阻。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，尤其是涉及一种半导体结构的形成方法。

技术介绍

[0002]接触孔是芯片内器件与第一层金属之间的连接通道，通过接触孔和金属层刻蚀显现不同器件之间的连接。钨作为通孔填充材料被引进到亚微米及以下的集成电路制造工艺中。然而，随着集成电路器件尺寸的不断缩小，接触孔的深宽比在不断变大，这给现有的钨填充工艺带来巨大的挑战，CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)具有非常好的台阶覆盖率，因此被广泛用于接触孔的填充工艺中，但面临接触孔阻值高的问题。
[0003]接触孔电阻会影响芯片的速度，因此有效的降低接触孔的接触阻值己成为先进半导体制造工艺中一个重要的课题。

技术实现思路

[0004]本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构的形成方法，以改善半导体结构性能。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面具有接触层；在所述衬底上形成介质层，所述介质层内具有接触孔，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有接触层；在所述衬底上形成介质层，所述介质层内具有接触孔，所述接触孔底部暴露出所述接触层，所述接触孔侧壁暴露出所述介质层；在所述接触孔的底部表面和侧壁表面形成籽晶层；在所述籽晶层表面形成第一填充层，所述第一填充层内具有开口；对所述籽晶层和所述第一填充层进行退火处理；所述退火处理后，在所述开口内形成第二填充层，所述第二填充层和所述第一填充层使所述接触孔被填满。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一填充层的工艺参数包括：使所述衬底加热至第一温度；形成第二填充层的工艺参数包括：使所述衬底加热至第二温度，且所述第二温度高于所述第一温度。3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，所述第一温度的范围为200度至350度；所述第二温度的范围为350度至500度。4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述籽晶层的材料包括钨、铜或铝；所述第一填充层的材料包括钨、铜或铝；所述第二填充层的材料包括钨、铜或铝。5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一填充层的形成工艺包括化学气相沉积工艺。6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一填充层的形成方法包括：向所述籽晶层表面通入第一气体；在去除未被籽晶层表面吸附的第一气体之后，通入第二气体，所述第二气体与第一气体反应形成第一填充膜；去除未反应的第二气体。7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一填充层的厚度范围为所述接触孔宽度的15％至40％。8.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一填层的工艺参数包括：所述第一气体包括六氟化钨；所述第二气体包括硅烷；所述第一气体的气流流量范围为0标准毫升/分钟至500标准毫升/分钟；气压范围为5托至100托。9.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一填层的工艺参数包括：所述第一气体包括硅烷；所述第二气体包括六氟化钨；所述第二气体的气流流量范围为0标准毫升/分钟至500标准毫升/分钟；气压范围为5托至100托。10.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述籽晶层的形成工艺包括脉冲成核沉积工艺。11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述籽晶层的方法包括：向所述接触孔表面通...

【专利技术属性】
技术研发人员：成国良，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：