半导体器件及其形成方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件及其形成方法，其方法包括：提供基底，所述基底内形成有接触孔，所述接触孔的底部表面暴露出所述基底内的源漏掺杂层的顶部表面；在所述接触孔的底部和侧壁上形成初始阻挡层；在所述初始阻挡层上形成金属层，所述金属层覆盖部分所述初始阻挡层的侧壁；在所述金属层上形成密封层；刻蚀去除所述金属层未覆盖的部分所述初始阻挡层，形成所述阻挡层；在金属层上形成密封层之后，密封层将金属层很好的保护住，这样在刻蚀去除金属层未覆盖的部分初始阻挡层形成阻挡层的过程中，由于密封层的保护作用，使得金属层在刻蚀工艺中不会遭到损伤，从而提高了金属层的形成质量，有助于提高形成的半导体器件的质量和良率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。

技术介绍

[0002]随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件朝着更高的元件密度，及更高的集成度的方向发展。器件作为最基本的半导体器件，目前正被广泛应用，传统的平面器件对沟道电流的控制能力变弱，产生短沟道效应而导致漏电流，最终影响半导体器件的电学性能。
[0003]在半导体器件的制作过程中，通常通过金属连接结构实现电流的导通，进而实现半导体器件的特定功能。一般的，在不同半导体器件之间连接有金属插塞，分别与栅极和源/漏区相连接。但是目前形成金属插塞的形成质量差，导致形成的半导体器件也具有较差的电学性能。
[0004]如何形成质量高的金属插塞，从而保证形成的半导体器件具有良好的性能，这是目前急需解决的问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术解决的问题是提供一种半导体器件及其形成方法，使得形成的金属插塞具有较好的成形质量，保证形成的半导体器件具有良好的性能和良率。
[0006]为解决上述问题，本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底内形成有接触孔，所述接触孔的底部表面暴露出所述基底内的源漏掺杂层的顶部表面；在所述接触孔的底部和侧壁上形成初始阻挡层；在所述初始阻挡层上形成金属层，所述金属层覆盖部分所述初始阻挡层的侧壁；在所述金属层上形成密封层；刻蚀去除所述金属层未覆盖的部分所述初始阻挡层，形成所述阻挡层。2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述金属层的步骤包括：在所述初始阻挡层的底部和侧壁上形成金属籽层；采用化学电镀工艺在所述金属籽层上形成电镀金属层，所述电镀金属层覆盖部分所述金属籽层的侧壁；回刻蚀所述电镀金属层未覆盖的所述金属籽层，至暴露出所述初始阻挡层的侧壁表面，在所述初始阻挡层上形成所述金属层。3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，回刻蚀所述电镀金属层未覆盖的所述金属籽层的方法包括：继续采用所述化学电镀工艺，采用0.17mA至0.3mA的电流，持续0秒至35秒。4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述密封层的步骤包括：在所述金属层上形成初始密封层；对所述初始密封层进行退火处理，在退火处理的过程中同时通入氧气，在所述金属层上形成所述密封层。5.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述初始密封层的形成工艺为选择性生长工艺。6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，刻蚀去除所述金属层未覆盖的...

【专利技术属性】
技术研发人员：张田田，荆学珍，张浩，于海龙，韩静利，孟晋辉，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：