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本发明提供一种半导体器件及其形成方法，其方法包括：提供基底，所述基底内形成有接触孔，所述接触孔的底部表面暴露出所述基底内的源漏掺杂层的顶部表面；在所述接触孔的底部和侧壁上形成初始阻挡层；在所述初始阻挡层上形成金属层，所述金属层覆盖部分所述初...
该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。

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