一种晶圆桥接导线结构改善方法技术

本发明专利技术公开了一种晶圆桥接导线结构改善方法，包括：步骤S10，对若干晶圆分别刻蚀硅通孔；步骤S20，对若干所述硅通孔处分别进行第一次湿法清洗；步骤S30，在若干所述硅通孔的内壁分别形成第一阻挡层；步骤S40，对若干所述硅通孔处分别进行第二次湿法清洗；步骤S50，对若干所述硅通孔内置入导线结构；步骤S60，对若干所述硅通孔处分别进行第三次湿法清洗；步骤S90，将若干所述晶圆由下至上依次叠加并固定。通过对本发明专利技术的应用，可制备出稳定性较高、平整度较好的晶圆桥接导线结构，在改善导线结构安装过程中的平整度的同时，还消除了污染物以及其他颗粒的影响，减少了电荷集中现象的发生，保障了相应芯片产品的质量。障了相应芯片产品的质量。障了相应芯片产品的质量。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆桥接导线结构改善方法


[0001]本专利技术涉及晶圆互联结构
，尤其涉及一种晶圆桥接导线结构改善方法。

技术介绍

[0002]在晶圆生产的过程中，尤其是在复杂的芯片总装过程中往往需要对芯片进行串接操作，较为常见的，在晶圆的表面利用硅通孔(TSV)工艺建立一高深宽比的互联结构，并通过在硅通孔内形成互联的桥接导线结构以满足复杂芯片的串接需求。然而，在芯片上的微结构越来越倾向于纳米化的同时，其具有的电晶体的集成在相同单位的面积以及体积下，其数量级从以往的数以万计逐渐成长至亿级，故对于桥接导线结构的尺寸以及精度都有了更为严格的要求。现有技术下，无论是在开设硅通孔还是在导线结构安装的过程中一旦产生不正常的凹陷或者凸起就会使得相应位置在通过电流时会产生电荷集中现象，而这一集中现象极为容易导致电荷快速移动进而造成短路现象的发生，极大程度地影响了桥接导线结构的质量。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，为解决上述问题，本专利技术的目的在于提供一种晶圆桥接导线结构改善方法，包括：
[0004]步骤S10，对若干晶圆分别刻蚀硅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆桥接导线结构改善方法，其特征在于，包括：步骤S10，对若干晶圆分别刻蚀硅通孔；步骤S20，对若干所述硅通孔处分别进行第一次湿法清洗；步骤S30，在若干所述硅通孔的内壁分别形成第一阻挡层；步骤S40，对若干所述硅通孔处分别进行第二次湿法清洗；步骤S50，对若干所述硅通孔内置入导线结构；步骤S60，对若干所述硅通孔处分别进行第三次湿法清洗；步骤S90，将若干所述晶圆由下至上依次叠加并固定。2.根据权利要求1所述的晶圆桥接导线结构改善方法，其特征在于，还包括：步骤S70，在所述导线的端部形成第二阻挡层；步骤S80，对若干所述第二阻挡层进行第四次湿法清洗。3.根据权利要求1所述的晶圆桥接导线结构改善方法，其特征在于，所述若干晶圆包括：上层晶圆片、中层晶圆片和下层晶圆片；所述步骤S10包括：步骤S11，对所述上层晶圆片蚀刻若干第一硅通孔；步骤S12，对所述中层晶圆片蚀刻若干第二硅通孔；步骤S13，对所述下层晶圆片蚀刻若干第三硅通孔；其中，每一所述第一硅通孔均正对一所述第二硅通孔设置，每一所述第二硅通孔均正对一所述第三硅通孔设置。4.根据权利要求3所述的晶圆桥接导线结构改善方法，其特征在于，所述第一硅通孔的内径大于所述第二硅通孔的内径，所述第二硅通孔的内径大于所述第三硅通孔...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈新来，
申请(专利权)人：上海至临半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：