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本发明公开了一种晶圆桥接导线结构改善方法，包括：步骤S10，对若干晶圆分别刻蚀硅通孔；步骤S20，对若干所述硅通孔处分别进行第一次湿法清洗；步骤S30，在若干所述硅通孔的内壁分别形成第一阻挡层；步骤S40，对若干所述硅通孔处分别进行第二次湿...
该专利属于上海至临半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海至临半导体技术有限公司授权不得商用。

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