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本发明提供了一种半导体结构及其制作方法、存储器。其中，所述半导体结构的制作方法包括：在绝缘层中形成多个凹槽；在所述凹槽的侧壁及所述绝缘层的顶面形成介质层；在形成有所述介质层的凹槽中以及形成有所述介质层的所述绝缘层的顶面形成互连层；通过化学机...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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