存储器及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种存储器及其制作方法。其中，所述存储器包括：堆叠结构；贯穿所述堆叠结构的存储沟道孔；位于所述存储沟道孔侧壁的电荷捕获层；其中，所述电荷捕获层包括沿所述存储沟道孔径向依次层叠设置的第一部分和第二部分；所述第二部分中第一元素的含量大于所述第一部分中第一元素的含量。第一部分中第一元素的含量。第一部分中第一元素的含量。

【技术实现步骤摘要】
存储器及其制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种存储器及其制作方法。

技术介绍

[0002]存储器，例如电荷捕获型存储器，是一种新兴的闪存类型存储器，其作为下一代高密度存储器的候选者，一直是半导体
相关基础研究和产业开发的重点。相关技术中，随着存储器器件尺寸的缩小，存储器的各个功能层的尺寸也在减小。
[0003]然而，在存储器各个功能层的尺寸减小时，器件的可靠性会降低。

技术实现思路

[0004]为解决相关技术中存在的一个或多个问题，本专利技术实施例提出一种存储器及其制作方法。
[0005]本专利技术实施例一方面提供了一种存储器，包括：
[0006]堆叠结构；
[0007]贯穿所述堆叠结构的存储沟道孔；
[0008]位于所述存储沟道孔侧壁的电荷捕获层；
[0009]其中，所述电荷捕获层包括沿所述存储沟道孔径向依次层叠设置的第一部分和第二部分；所述第二部分中第一元素的含量大于所述第一部分中第一元素的含量。
[0010]上述方案中，所述电荷捕获层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器，其特征在于，包括：堆叠结构；贯穿所述堆叠结构的存储沟道孔；位于所述存储沟道孔侧壁的电荷捕获层；其中，所述电荷捕获层包括沿所述存储沟道孔径向依次层叠设置的第一部分和第二部分；所述第二部分中第一元素的含量大于所述第一部分中第一元素的含量。2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述电荷捕获层的材料包括含氢的氮化硅；所述第一元素包括氢元素。3.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第二部分的厚度小于所述第一部分的厚度；所述第二部分不用于进行电荷的存储。4.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，在对所述存储器进行退火处理的过程中，所述第二部分向所述第一部分扩散的所述第一元素的量大于所述第一部分向所述第二部分扩散的所述第一元素的量；和/或，所述第一部分向所述第二部分扩散的所述第一元素被所述第二部分的所述第一元素排斥，并返回至所述第一部分。5.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括：阻挡介电层、隧穿介电层及沟道层；其中，所述阻挡介电层位于所述存储沟道孔侧壁与所述电荷捕获层之间；所述隧穿介电层覆盖所述电荷捕获层；所述沟道层覆盖所述隧穿介电层。6.根据权利要求5所述的存储器，其特征在于，所述阻挡介电层的材料包括氧化物；所述隧穿介电层的材料包括掺氮的氧化物。7.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储器包括三维NAND型存储器。8.一种存储器的制作方法，其特征在于，包括：提供堆叠结构；形成贯穿所述堆叠结构的存储沟道孔；在所述存储沟道孔侧壁形成电荷捕获层；其中，所述电荷捕获层包括沿所述存储沟道孔径向依次层叠设置的第一部分和第二部分；所述第二部分中第一元素的含量大于所述第一部分中第一元素的含量。9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈保家，王启光，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：