半导体存储装置制造方法及图纸

实施方式提供一种能够实现高集成化的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：第1、第2、第3导电层，在第1方向上延伸且在第2方向上排列；多个第1半导体层及第1、第2电荷蓄积部，设置在第1、第2导电层之间；第2、第3绝缘层，设置在相邻2个第1、第2电荷蓄积部之间；多个第2半导体层及第3、第4电荷蓄积部，设置在第2、第3导电层之间；以及第5、第6绝缘层，设置在相邻2个第3、第4电荷蓄积部之间。在第1导电层的与第2绝缘层的对向面、及第2导电层的与第3绝缘层的对向面，设置有包含氮(N)及钛(Ti)中至少一种的势垒导电膜。在第2导电层的与第5绝缘层的对向面、及第3导电层的与第6绝缘层的对向面，未设置包含氮(N)及钛(Ti)中至少一种的势垒导电膜。少一种的势垒导电膜。少一种的势垒导电膜。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储装置
[0001][相关申请的交叉参考][0002]本申请享有以日本专利申请2020
‑
154168号(申请日：2020年9月14日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。


[0003]以下所记载的实施方式涉及一种半导体存储装置。

技术介绍

[0004]已知有一种半导体存储装置，具备：衬底、在与该衬底表面交叉的方向上积层的多个栅极电极、与这多个栅极电极对向的半导体层、以及设置在栅极电极与半导体层之间的栅极绝缘层。栅极绝缘层例如具备诸如氮化硅(Si3N4)等绝缘性电荷蓄积部或浮栅等导电性电荷蓄积部之类的能够存储数据的存储器部。

技术实现思路

[0005]本专利技术要解决的问题是提供一种能够实现高集成化的半导体存储装置。
[0006]一实施方式的半导体存储装置具备在第1方向上延伸且在与第1方向交叉的第2方向上排列的第1导电层、第2导电层及第3导电层。另外，半导体存储装置具备：多个第1半导体层，设置在第1导电层与第2导电层之间，在第1方向上排列；多个第1电荷蓄本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储装置，具备：第1导电层、第2导电层及第3导电层，在第1方向上延伸，在与所述第1方向交叉的第2方向上排列；多个第1半导体层，设置在所述第1导电层与所述第2导电层之间，在所述第1方向上排列；多个第1电荷蓄积部，设置在所述第1导电层与所述多个第1半导体层之间；多个第2电荷蓄积部，设置在所述第2导电层与所述多个第1半导体层之间；第1绝缘层，设置在所述第1导电层与所述第2导电层之间，位于在所述第1方向上相邻的2个所述第1半导体层之间；第2绝缘层，设置在所述第1导电层与所述第1绝缘层之间，位于在所述第1方向上相邻的2个所述第1电荷蓄积部之间；第3绝缘层，设置在所述第2导电层与所述第1绝缘层之间，位于在所述第1方向上相邻的2个所述第2电荷蓄积部之间；多个第2半导体层，设置在所述第2导电层与所述第3导电层之间，在所述第1方向上排列；多个第3电荷蓄积部，设置在所述第2导电层与所述多个第2半导体层之间；多个第4电荷蓄积部，设置在所述第3导电层与所述多个第2半导体层之间；第4绝缘层，设置在所述第2导电层与所述第3导电层之间，位于在所述第1方向上相邻的2个所述第2半导体层之间；第5绝缘层，设置在所述第2导电层与所述第4绝缘层之间，位于在所述第1方向上相邻的2个所述第3电荷蓄积部之间；以及第6绝缘层，设置在所述第3导电层与所述第4绝缘层之间，位于在所述第1方向上相邻的2个所述第4电荷蓄积部之间；且将所述第1导电层的所述第2方向上的侧面中与所述第2绝缘层对向的面设为第1面，将所述第2导电层的所述第2方向上的侧面中与所述第3绝缘层对向的面设为第2面，将所述第2导电层的所述第2方向上的侧面中与所述第5绝缘层对向的面设为第3面，将所述第3导电层的所述第2方向上的侧面中与所述第6绝缘层对向的面设为第4面，在所述第1面及所述第2面上设置有包含氮(N)及钛(Ti)中至少一种的势垒导电膜，在所述第3面及所述第4面上未设置包含氮(N)及钛(Ti)中至少一种的势垒导电膜。2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第1导电层具备：第1金属膜，在所述第1方向上延伸；及第1势垒导电膜，设置在所述第1金属膜的与所述第2绝缘层的对向面；所述第2导电层具备：第2金属膜，在所述第1方向上延伸；及第2势垒导电膜，设置在所述第2金属膜的与所述第3绝缘层的对向面；所述第3导电层具备在所述第1方向上延伸...

【专利技术属性】
技术研发人员：楢崎亮太，蔡伟立，永嶋贤史，石川贵之，嶋田裕介，韩业飞，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：