封装结构及制备方法技术

本发明专利技术提供一种封装结构及制备方法，封装结构包括玻璃基底、金属连接柱、第一封装层、连接层、半导体芯片、填充层、第二封装层、可控塌陷芯片连接层、基板及散热壳体。本发明专利技术直接在玻璃基底中形成金属连接柱，从而玻璃基底可直接作为中间传导层，并在金属连接柱的相对两端分别形成半导体芯片及可控塌陷芯片连接层，以进行电连接，从而可减少制备封装结构的工艺流程，并降低制备成本。并降低制备成本。并降低制备成本。

【技术实现步骤摘要】
封装结构及制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装
，特别是涉及一种封装结构及制备方法。

技术介绍

[0002]在半导体制造领域，具有被称为计算机第一定律的摩尔(Moore)定律，即当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18～24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。
[0003]目前，前道工艺已经到了摩尔定律的后段，制程已经到达了曝光物理极限，投资成本过高，因此未来发展将以后端先进封装技术的发展作为重点。其中，后端封装技术大至可分成三个线距，包括基板级(Substrate Level)线宽/线距(L/S)>10μm、晶圆级(Wafer Level)线宽/线距(L/S)>2μm，如扇出型晶圆级封装(Fan Out Wafer Level Package，FOWLP)及晶圆加工级(Foundry Level)线宽/线距(L/S)<2μm。
[0004]现有的系统级芯片封装SOC(System on a Chip)，通常采用由前道制备的具有不同性能的芯片分别贴合于TS本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供玻璃基底，所述玻璃基底中具有凹槽；于所述凹槽中形成金属连接柱，所述金属连接柱包括与所述玻璃基底相接触的第一端及相对的第二端；采用第一封装层封装所述凹槽及金属连接柱，且所述第一封装层显露所述金属连接柱的第二端；于所述玻璃基底上形成连接层，所述连接层包括与所述金属连接柱电连接的金属凸块及覆盖所述第一封装层及玻璃基底的介质层；提供半导体芯片，所述半导体芯片位于所述连接层上，且所述半导体芯片的正面通过芯片焊盘与所述金属凸块电连接，所述半导体芯片的背面远离所述玻璃基底；采用填充层填充所述半导体芯片与所述连接层之间的间隙，以包覆所述半导体芯片的正面及金属凸块；采用第二封装层封装所述连接层及半导体芯片；去除部分所述玻璃基底，以显露所述金属连接柱的第一端；形成可控塌陷芯片连接层，所述可控塌陷芯片连接层包括布线层及焊料凸点，且所述布线层与所述金属连接柱电连接；减薄所述第二封装层，以显露所述半导体芯片的背面，形成封装体；提供基板，所述封装体通过所述焊料凸点与所述基板电连接；提供散热壳体，所述散热壳体位于所述基板上，包覆所述封装体，且所述散热壳体的底部与所述封装体相接触。2.根据权利要求1所述的封装结构的制备方法，其特征在于：所述金属连接柱的高度大于所述凹槽的深度。3.根据权利要求1所述的封装结构的制备方法，其特征在于：形成的所述第一封装层覆盖所述玻璃基底，且采用研磨法显露所述金属连接柱的第二端。4.根据权利要求1所述的封装结构的制备方法，其特征在于：还包括在所述可控塌陷芯片连接层与所述基板之间形成塑封层的步骤。5.一种封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：玻璃基底，所述玻璃基底中具有贯穿所述玻璃基底的凹槽；金属连接柱，所述金属连接柱位于所述凹槽中，且所述金属连接柱包括第一端及相对的第二端；第一封装层，...

【专利技术属性】
技术研发人员：林章申，林正忠，陈彦亨，
申请(专利权)人：盛合晶微半导体江阴有限公司，
类型：发明
国别省市：